| 講演名 | 2010-10-29 カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告)) 永岡 章, 吉野 賢二, |
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| 抄録(和) | 三元系カルコパイライト型半導体は、多元系という特性のためSiやGeといった元素半導体では得られない有益な物性値を持っている。特に、AgGaSe_2は、バンドギャップ1.8eV、大きな非線形光学係数、赤外域での高い透過率、光吸収係数10_5cm^<-1>オーダーというオプトエレクトロニクスデバイス応用に必要な物性値を持つ。本研究では、半導体物性の重要な項目の一つである欠陥準位と基礎物性値の一つである抵抗値の評価を行った。 |
| 抄録(英) | Ternary chalcopyrite semiconductors have instructive properties that Si and Ge does not have, because of multi element-system. Especially, because of band-gap energy 1.8eV, large nonlinear coefficient, high infrared transition and large absorption coefficient 10^5cm^<-1>, AgGaSe_2 is promised to optoelectronic applications. In this paper, defect levels and resistivity, which is one of the important terms of semiconductor properties, were evaluated. |
| キーワード(和) | カルコパイライト型半導体 / ホットプレス法 / AgGaSe_2 / フォトルミネッセンス(PL)測定 |
| キーワード(英) | Chalcopyrite semiconductor / Hot-press method / AgGaSe_2 / Photoluminescence (PL) |
| 資料番号 | OCS2010-75,OPE2010-111,LQE2010-84 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS |
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| 開催期間 | 2010/10/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Communication Systems (OCS) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Properties analysis of chalcopyrite semiconductor AgGaSe_2 by optical measurement |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | カルコパイライト型半導体 / Chalcopyrite semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | ホットプレス法 / Hot-press method |
| キーワード(3)（和/英） | AgGaSe_2 / AgGaSe_2 |
| キーワード(4)（和/英） | フォトルミネッセンス(PL)測定 / Photoluminescence (PL) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 永岡 章 / Akira Nagaoka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 宮崎大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Miyazaki |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉野 賢二 / Kenji Yoshino |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 宮崎大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Miyazaki |
| 発表年月日 | 2010-10-29 |
| 資料番号 | OCS2010-75,OPE2010-111,LQE2010-84 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 257 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |