講演名 2010-10-26
真空トランジスタのコレクタ形状とコレクタ特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
後藤 康仁, 池田 啓太, 大上 航, 辻 博司,
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抄録(和) 電界放出微小電子源を用いた真空トランジスタにおけるコレクタの形状と、それがコレクタ特性に及ぼす影響を計算機実験により調べた。真空トランジスタは、ゲートつきの電界放出微小電子源にコレクタを付加した三極素子とし、電子源のゲート開口は全体に対して十分小さいものと仮定した。デバイス内の電子ビームの軌道は、まず差分法によりデバイス内の電位を計算し、その後、オイラー法ないしはルンゲクッタ法による運動方程式の積分により求めた。コレクタ形状を平面ではなく、曲面とすることでコレクタ特性の肩特性が改善されることが明らかとなった。
抄録(英) Relationship between collector geometry and collector characteristics was studied by numerical simulation. The evaluated vacuum transistor consisted of a gated field emitter array and an exteranal collector. The size of aperture was assumed to be sufficiently small as compared to the device size. Electron beam trajectories were calculated in the following manner. Calculation of electric potential distribution was performed by finite difference method. Integration of equation of motion was performed either by Euler scheme or Runge-Kutta scheme. It was found that the knee characteristics were improved with curved collector as comapred to the flat collector.
キーワード(和) 真空トランジスタ / 電界放出電子源 / ビーム発散角 / コレクタ形状 / コレクタ特性 / 肩特性
キーワード(英) vacuum transistor / field emitter array / beam divergence / collector geometry / collector characteristics / knee characteristics
資料番号 ED2010-138
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2010/10/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 真空トランジスタのコレクタ形状とコレクタ特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Relationship between collector geometry and collector characteristics of vacuum transistor
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 真空トランジスタ / vacuum transistor
キーワード(2)(和/英) 電界放出電子源 / field emitter array
キーワード(3)(和/英) ビーム発散角 / beam divergence
キーワード(4)(和/英) コレクタ形状 / collector geometry
キーワード(5)(和/英) コレクタ特性 / collector characteristics
キーワード(6)(和/英) 肩特性 / knee characteristics
第 1 著者 氏名(和/英) 後藤 康仁 / Yasuhito GOTOH
第 1 著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
第 2 著者 氏名(和/英) 池田 啓太 / Keita IKEDA
第 2 著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
第 3 著者 氏名(和/英) 大上 航 / Wataru OHUE
第 3 著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
第 4 著者 氏名(和/英) 辻 博司 / Hiroshi TSUJI
第 4 著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
発表年月日 2010-10-26
資料番号 ED2010-138
巻番号(vol) vol.110
号番号(no) 249
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日