| 講演名 | 2010-10-25 高収束電子ビームを目指した静電レンズ一体型フィールドエミッタの作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術) 長尾 昌善, 西 孝, 神田 信子, 吉田 知也, 根尾 陽一郎, 三村 秀典, 清水 貴思, 金丸 正剛, |
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| 抄録(和) | 我々はすでに4段から5段のゲート電極を有するマルチゲートFEAの作製方法を開発している。このマルチゲートFEAを使った本当の意味でのマイクロカラムSEM(レンズの大きさがμmオーダー)を提案した。しかしながら、マイクロカラムSEMを実現するためには、FEAに集積する電極の数が最低でも7段以上必要で、これまでの作製方法の延長では困難である。本研究では、7段以上の電極を集積できるようにマルチゲートFEAの作製方法をいくつか見直し、7段ゲートFEAを作製したので報告する。 |
| 抄録(英) | We have developed a fabrication of the field emitter array with a built-in multi-stacked electrode (multi-gate FEA). This time, we propose the concept of the real meaning of "micro-column" SEM using the multi-gate FEA. To realize the "micro-column" SEM, the multi-gate FEA with seven electrodes is necessary. However, the developed fabrication process is not sufficient for the seven-gate FEA. We revised the fabrication process of the multi-gate FEA to realize seven-gate FEA. In this paper, revised fabrication, such as formation of higher emitting tip, etch-back process, and edge-smoothing technique, is reported. |
| キーワード(和) | フィールドエミッタアレイ / マルチゲートFEA / 静電レンズ / 走査型電子顕微鏡(SEM) / マイクロカラム |
| キーワード(英) | field emitter array / mulge-gate FEA / electrostatic lens / scanning electron microscope (SEM) / micro-column |
| 資料番号 | ED2010-134 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/10/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高収束電子ビームを目指した静電レンズ一体型フィールドエミッタの作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of field emitters with a built-in electrostatic lens for focused electron beam |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フィールドエミッタアレイ / field emitter array |
| キーワード(2)（和/英） | マルチゲートFEA / mulge-gate FEA |
| キーワード(3)（和/英） | 静電レンズ / electrostatic lens |
| キーワード(4)（和/英） | 走査型電子顕微鏡(SEM) / scanning electron microscope (SEM) |
| キーワード(5)（和/英） | マイクロカラム / micro-column |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西 孝 / Takashi Nishi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 神田 信子 / Nobuko Koda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吉田 知也 / Tomoya Yoshida |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 根尾 陽一郎 / Yoichiro Neo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka Univ. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 三村 秀典 / Hidenori Mimura |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka Univ. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 清水 貴思 / Takashi Shimizu |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 金丸 正剛 / Seigo Kanemaru |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 発表年月日 | 2010-10-25 |
| 資料番号 | ED2010-134 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 249 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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