| 講演名 | 2010-10-25 負の電子親和力を有するn型半導体ダイヤモンドからの電界電子放出機構(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術) 山田 貴壽, 長谷川 雅考, / 工藤 唯義, 山口 尚登, 増澤 智昭, 岡野 健, |
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| 抄録(和) | ダイヤモンド表面の負の電子親和力(NEA)を有効に利用するために、n型半導体ダイヤモンドNEA表面からの電界電子放出特性を評価した。紫外線光電子分光法により、水素プラズマ処理後の表面がNEAを有することを確認した。測定系のアノード電極とダイヤモンド表面間の距離をパラメータとして、電界電子放出特性を測定し、真空中での電圧降下を見積もった。その結果、n型半導体ダイヤモンドNEA表面からの電界電子放出には、数10V/μm以上の電界を表面に印加する必要があった。このような高電界は、表面近傍に存在する電位障壁高さの低減に必要であることがわかった。さらに、表面の内部障壁高さが約3.3eVと見積もることができた。 |
| 抄録(英) | In order to utilize negative electron affinities (NEA) on diamond surfaces, field emission from n-type diamond with NEA was investigated. It was confirmed, by ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS), that hydrogen-plasma treated n-type diamond surface has NEA. Field electron emission properties as a function of anode-diamond distances were measured and a potential drop in vacuum was evaluated. It was found that electric fields of over few 10V/μm were required to emit electrons from n-type diamond NEA surface. It was considered that such higher electric fields were necessary to reduce an internal barrier at NEA surface. From the field emission results, the internal barrier height was estimated to be about 3.3eV. |
| キーワード(和) | n型ダイヤモンド / 負の電子親和力 / バンドベンディング / 電界電子放出 |
| キーワード(英) | n-type diamond / negative electron affinity / band bending / field emission |
| 資料番号 | ED2010-131 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/10/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 負の電子親和力を有するn型半導体ダイヤモンドからの電界電子放出機構(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Field emission mechanism of n-type semiconducting diamond with negative electron affinity |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | n型ダイヤモンド / n-type diamond |
| キーワード(2)（和/英） | 負の電子親和力 / negative electron affinity |
| キーワード(3)（和/英） | バンドベンディング / band bending |
| キーワード(4)（和/英） | 電界電子放出 / field emission |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山田 貴壽 / Takatoshi YAMADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (独)産業技術総合研究所ナノチューブ応用研究センター NanoTube Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長谷川 雅考 / Masataka HASEGAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (独)産業技術総合研究所ナノチューブ応用研究センター NanoTube Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | / 工藤 唯義 / Christoph E. NEBEL |
| 第 3 著者 所属（和/英） | / 国際基督教大学物質科学デパートメント Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山口 尚登 / Yuki KUDO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 国際基督教大学物質科学デパートメント Dept. of Material Science, International Christian University (ICU) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 増澤 智昭 / Hisato YAMAGUCHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 国際基督教大学物質科学デパートメント Dept. of Material Science, International Christian University (ICU):(Present office)Dept. of Material Science and Engineering, Rutgers University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岡野 健 / Tomoaki MASUZAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 国際基督教大学物質科学デパートメント Dept. of Material Science, International Christian University (ICU) |
| 発表年月日 | 2010-10-25 |
| 資料番号 | ED2010-131 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 249 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |