| 講演名 | 2010-10-25 三フッ化メタンプラズマ処理したシリコン電界放出電子源の表面状態と電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術) 後藤 康仁, 遠藤 恵介, 辻 博司, 石川 順三, 酒井 滋樹, |
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| 抄録(和) | 三フッ化プラズマ処理を施したシリコン電界放出電子源の電子放出特性の経時変化の原因を調べる目的で、同じ処理を施したシリコン基板の表面状態の分析を行なった。電子源の放出電流の経時変化を模擬するために、試料を真空中で加熱し、その際の表面状態の変化を調べた。表面状態の評価としては、X線光電子分光法による原子間結合状態の評価、ケルビンプローブによる仕事関数の評価を行なった。その結果、プラズマ処理の初期に表面を被覆していたフッ化炭素の層からはフッ素の脱離が見られた。処理直後の仕事関数はシリコンの仕事関数よりも高くなったが、加熱に伴い仕事関数は低下した。この結果は、電子放出特性から導いた結果と定性的に合致する。 |
| 抄録(英) | Surface state of the silicon substrate treated by trifluoromethane plasma was analyzed in order to clarify the origin of the variation of electron emission property of silicon field emitter array treated by the same process. In order to simulate the emitting surface in long time operation, the samples were heated in vacuum. Evaluation of interatomic bonding was made by x-ray photoelectron spectroscopy, and evaluation of work function was made by Kelvin probe. As a result, it was found that fluorine atoms were lost from the fluorocarbon layer that covered the sample surface just after the plasma treatment. Work function of the plasma treated surface was higher than that of silicon, and it decreased after thermal treatment. The above result shows good agreement with the conclusion derived from the alanysis of field emission property. |
| キーワード(和) | シリコン電界放出電子源 / 表面状態 / 電子放出特性 / 三フッ化プラズマ処理 / 仕事関数 |
| キーワード(英) | silicon field emitter array / surface state / electron emission property / trifluoromethane plasma treatment / work function |
| 資料番号 | ED2010-129 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/10/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 三フッ化メタンプラズマ処理したシリコン電界放出電子源の表面状態と電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface state and electron emission property of silicon field emitter arrays treated by trifluoromethane plasma |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン電界放出電子源 / silicon field emitter array |
| キーワード(2)（和/英） | 表面状態 / surface state |
| キーワード(3)（和/英） | 電子放出特性 / electron emission property |
| キーワード(4)（和/英） | 三フッ化プラズマ処理 / trifluoromethane plasma treatment |
| キーワード(5)（和/英） | 仕事関数 / work function |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 後藤 康仁 / Yasuhito GOTOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 遠藤 恵介 / Keisuke ENDO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 辻 博司 / Hiroshi TSUJI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石川 順三 / Junzo ISHIKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 中部大学工学部電子情報工学科 Department of Electronics and Information Engineering, Chubu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 酒井 滋樹 / Shigeki SAKAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日新イオン機器株式会社 Nissin Ion Equipment Co. Ltd. |
| 発表年月日 | 2010-10-25 |
| 資料番号 | ED2010-129 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 249 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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