講演名 2010-10-28
一方向凝固法によるタンタル酸カリウム単結晶の育成(薄膜プロセス・材料,一般)
竹中 貴之, 番場 教子, 干川 圭吾,
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抄録(和) 本研究では、現在タンタル酸カリウム(KTaO_3、KT)単結晶育成に用いられているTSSG法に比べ、育成速度が速く、形状制御が容易なブリッジマン(VB)法によるKT単結晶育成を試みている。原料全てを固化するVB法では原料組成が重要であるため、まず一方向凝固によりKT結晶を作製し、その固化状況からVB法でのKT単結晶育成の可能性及び最適組成を調べた。その結果、原料組成を化学量論組成であるK:Ta=50:50とした場合では固化開始部にTa rich結晶が析出した後KT結晶の成長が確認でき、K:Ta=52:48の場合では固化開始部からKT結晶があらわれた。このK rich組成原料を用いた一方向凝固でKT単結晶が育成できたことからVB法によるKT単結晶育成の可能性が示された。
抄録(英) Growth of potassium tantalite (KT) single crystal by Vertical Bridgman (VB) method is tried in this research. VB method has faster growth rate and more easy form control, compared with TSSG method used for growth of KT single crystal today. Starting material composition is important in the growth by VB method that solidifies all materials. Therefore KT crystals were grown by directional solidification from stoichiometric and non-stoichiometric starting materials in this work. Ta-rich crystal was precipitated at the beginning of solidification and then KT polycrystal grew when stoichiometric material was used. In the case of the non-stoichiometric, K:Ta=52:48, KT polycrystal appeared from the beginning and then KT single crystal was grown. From these results, the possibility of growth of KT single crystal by VB method using K-rich non-stoichiometry starting material was able to be shown.
キーワード(和) タンタル酸カリウム単結晶 / 一方向凝固 / 垂直ブリッジマン法
キーワード(英) potassium tantalate single crystal / the directional solidification method / vertical bridgman method
資料番号 CPM2010-92
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2010/10/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 一方向凝固法によるタンタル酸カリウム単結晶の育成(薄膜プロセス・材料,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Growth of potassium tantalate single crystal by the directional solidification method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) タンタル酸カリウム単結晶 / potassium tantalate single crystal
キーワード(2)(和/英) 一方向凝固 / the directional solidification method
キーワード(3)(和/英) 垂直ブリッジマン法 / vertical bridgman method
第 1 著者 氏名(和/英) 竹中 貴之 / Takayuki TAKENAKA
第 1 著者 所属(和/英) 信州大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻
Graduate School of Science and Technology, Shinshu University
第 2 著者 氏名(和/英) 番場 教子 / Noriko BANBA
第 2 著者 所属(和/英) 信州大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻
Graduate School of Science and Technology, Shinshu University
第 3 著者 氏名(和/英) 干川 圭吾 / Keigo HOSHIKAWA
第 3 著者 所属(和/英) 信州大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻
Graduate School of Science and Technology, Shinshu University
発表年月日 2010-10-28
資料番号 CPM2010-92
巻番号(vol) vol.110
号番号(no) 261
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日