| 講演名 | 2010-10-19 TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般) 堤 早希, 御田村 直樹, 赤池 宏之, 井上 真澄, 藤巻 朗, |
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| 抄録(和) | 本研究では時間依存Ginzburg-Landau(TDGL)方程式を数値解析することにより,モートを形成した超伝導体におけるボルテックスの振る舞いを明らかにすることを目指す.ここでは,外部磁場が0のときの超伝導転移後の超伝導薄膜中において,揺らぎにより生成されたボルテックスの軌道,速度,加速度を調査した.ボルテックスはモートに対して垂直な軌道を描いて捕捉され,加速度はモートに近づくにつれて指数関数的に増加することが確認できた.また,ボルテックスの加速度にはGLパラメータκ依存性が見られ,κの値が大きくなるほど,ボルテックスがモートから受ける力は小さくなるが,よりモートから離れた位置で生成されたボルテックスでもモートからの力を受けることが観測できた. |
| 抄録(英) | We examine the behavior of vortices in superconducting thin films next to moats using numerical analysis of the solution to the time-dependent Ginzburg-Landau (TDGL) equation. In particular, we investigate the orbit, velocity and acceleration of vortices in superconducting thin films after the transition to superconductors. The simulation results show that the vortex migrate into the moat perpendicularly and the acceleration of the vortex increased exponentially as the distance between the vortex and moats was shorter. It is found that the force form moats is smaller and the vortex generated at a greater distance from the moats migrate closer to the moats with κ is larger. |
| キーワード(和) | ボルテックス / TDGL方程式 / モート |
| キーワード(英) | vortex / TDGL equation / moat |
| 資料番号 | SCE2010-29 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2010/10/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Numerical analysis on the exclusion effect of magnetic field on superconducting thin film by using TDGL equation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ボルテックス / vortex |
| キーワード(2)（和/英） | TDGL方程式 / TDGL equation |
| キーワード(3)（和/英） | モート / moat |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 堤 早希 / Saki TSUTSUMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 御田村 直樹 / Naoki MITAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 赤池 宏之 / Hiroyuki AKAIKE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井上 真澄 / Masumi INOUE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤巻 朗 / Akira FUJIMAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2010-10-19 |
| 資料番号 | SCE2010-29 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 235 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |