講演名 2010-10-19
NbN及びMgB_2を用いたグラウンドプレーンによる磁束トラップへの影響(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
御田村 直樹, 内藤 直生人, 赤池 宏之, 藤巻 朗, 新原 佳紘, 内藤 方夫,
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抄録(和) 本研究ではNbN及びMgB_2グラウンドプレーンに形成したモードによる磁束トラップへの影響を調査した.その影響はNb、NbN及びMgB_2グランドプレーン上に作製された直列1000個のジョセフソン接合への磁束トラップを調べる事により評価された.この評価によるとNbNグランドプレーン上の接合は-1.8μTから1.4μTの垂直な印加磁場の領域で磁束トラップは観測されなかった.その範囲はNbグランドプレーンにくらべ約2倍となったことから、NbNグランドプレーン上に形成されたモートによる磁場排除効果は、Nbに比べ高いことが示された。また5μTから20μTにおいてのトラップ率の調査からMgB_2グランドプレーンもNbに比べ高い磁場排除効果があることを確認した。
抄録(英) We have investigated the effect on magnetic flux trapping by moats formed in NbN and MgB_2 ground planes. The effect was evaluated by measuring flux trapping in series arrays of 1000 Josephson junctions fabricated on Nb, NbN and MgB_2 ground planes. In this evaluation, flux trapping in the junctions on NbN ground planes was almost not observed in the perpendicular magnetic field range of -1.8μT to 1.4μT. Since this range was approximately twice as wide as the range in junctions on Nb grand planes, the moats formed in NbN ground planes were effective for excluding magnetic flux compared with Nb ground planes. MgB_2 ground planes also encourage excluding magnetic flux by investigation of flux trapping in the range of 5 to 20μT.
キーワード(和) 単一磁束量子回路 / ジョセフソン接合 / 磁束トラップ / NbN / MgB_2
キーワード(英) Single flux quantum circuit / Josephson junction / Magnetic flux trapping / NbN / MgB_2
資料番号 SCE2010-28
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 2010/10/12(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) NbN及びMgB_2を用いたグラウンドプレーンによる磁束トラップへの影響(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) The Effect of NbN or MgB_2 Ground Planes on Magnetic Flux Trapping
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 単一磁束量子回路 / Single flux quantum circuit
キーワード(2)(和/英) ジョセフソン接合 / Josephson junction
キーワード(3)(和/英) 磁束トラップ / Magnetic flux trapping
キーワード(4)(和/英) NbN / NbN
キーワード(5)(和/英) MgB_2 / MgB_2
第 1 著者 氏名(和/英) 御田村 直樹 / Naoki MITAMURA
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋大学
Nagoya University
第 2 著者 氏名(和/英) 内藤 直生人 / Naoto NAITO
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋大学
Nagoya University
第 3 著者 氏名(和/英) 赤池 宏之 / Hiroyuki AKAIKE
第 3 著者 所属(和/英) 名古屋大学
Nagoya University
第 4 著者 氏名(和/英) 藤巻 朗 / Akira FUJIMAKI
第 4 著者 所属(和/英) 名古屋大学
Nagoya University
第 5 著者 氏名(和/英) 新原 佳紘 / Yoshihiro NIIHARA
第 5 著者 所属(和/英) 東京農工大学
Tokyo University of Agriculture and Technology
第 6 著者 氏名(和/英) 内藤 方夫 / Michio NAITO
第 6 著者 所属(和/英) 東京農工大学
Tokyo University of Agriculture and Technology
発表年月日 2010-10-19
資料番号 SCE2010-28
巻番号(vol) vol.110
号番号(no) 235
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日