| 講演名 | 2010-08-26 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般) 片山 健夫, 坂口 淳, 河口 仁司, |
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| 抄録(和) | 偏光双安定VCSELの発振偏光状態として情報を記録する光バッファメモリの高速動作について評価した。バッファメモリの高速動作のためには、制御入力光の周波数離調及び強度の適切な設定が必要である。今回、980nm帯VCSELを用いて、20Gb/sの2^6-1ビットRZ擬似ランダム信号中の任意の1ビットの記録と、40Gb/sの6ビットNRZ符号信号中の任意の1ビットの記録に成功した。これらは、フリップ・フロップ型全光メモリの動作としては現在最高速のものである。この時の入力光信号強度は共に250μWであり、VCSELの出力光強度よりも弱く、光利得をもつ。将来の全光型ネットワークのキーデバイスとして期待できる。 |
| 抄録(英) | Ultrafast all-optical memory operation was experimentally demonstrated using a 980-nm polarization-bistable vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL). At the optimum condition of the optical input power and the detuning frequency, 1-bit data signals were arbitrarily sampled and memorized from a 2^6-1 pseudorandom bit sequence return-to-zero signal at 20 Gb/s and a 6-bit non-return-to-zero signal at 40 Gb/s by AND gate and memory functionalities. Both memory operations had optical gain. All-optical flip-flop memories based on polarization bistable VCSELs may be useful for the ultrafast all-optical future networks. |
| キーワード(和) | 面発光半導体レーザ(VCSEL) / 光バッファメモリ / 偏光双安定性 |
| キーワード(英) | Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) / Optical Buffer Memory / Polarization Bistability |
| 資料番号 | EMD2010-37,CPM2010-53,OPE2010-62,LQE2010-35 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2010/8/19(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultrafast all-optical memory operation using a polarization bistable VCSEL |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 面発光半導体レーザ(VCSEL) / Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) |
| キーワード(2)（和/英） | 光バッファメモリ / Optical Buffer Memory |
| キーワード(3)（和/英） | 偏光双安定性 / Polarization Bistability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 片山 健夫 / Takao KATAYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 坂口 淳 / Jun SAKAGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科:(現)情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology:(Present Office)New Generation Network Research Center, National Institute of Information and Communications Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 河口 仁司 / Hitoshi KAWAGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2010-08-26 |
| 資料番号 | EMD2010-37,CPM2010-53,OPE2010-62,LQE2010-35 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 181 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |