| 講演名 | 2010-08-27 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般) 田中 有, 高田 幹, 石田 充, 松本 武, 宋 海智, 江川 満, 中田 義昭, 山本 剛之, 山口 正臣, 西 研一, 菅原 充, 荒川 泰彦, |
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| 抄録(和) | 高密度InAs/GaAs量子ドットを活性層に適用した波長1.3μm帯量子ドットレーザの最近の開発状況について報告する.分子線エピタキシー法を用いて開発した高密度ドット(密度5.9×10^<10>cm^2)の多層成長開発を進め,8層積層で利得の更なる増加に成功した.この高密度量子ドット活性層を適用してFPレーザを作製して変調帯域の改善と,世界初の室温25Gb/s変調動作を確認した.また同様な8層積層高密度量子ドット活性層をInGaP/GaAs回折格子を形成したDFBレーザに適用し,-40℃から80℃までの単一モード発振と温度安定駆動条件での10Gb/s変調動作を実現した. |
| 抄録(英) | We report on a recent progress in 1.3 μm InAs/GaAs high-density quantum dot lasers. By stacking high-density quantum dot layer where areal density is 5.9×10^<10>cm^<-2> by molecular beam epitaxy we have successfully increased the optical modal gain beyond 40 cm^<-1>. The fabricated Fabry Perot laser showed an extended modulation bandwidth to 11 GHz, and 25 Gb/s eye-diagram which was the first demonstration in quantum dot lasers, to the best of our knowledge. We also fabricated distributed feedback lasers with eight-layer-stacked high-density quantum dot as an active layer, in which InGaP/GaAs gratings were formed just above the active layer. Excellent single mode lasing and temperature stable 10.3 Gb/s modulation characteristics have been achieved in the temperature range between -40℃ and 80℃. |
| キーワード(和) | 高密度量子ドット / 量子ドットレーザ / 25Gb/s変調動作 / DFBレーザ / 温度安定性 |
| キーワード(英) | High-Density Quantum Dot / Quantum Dot Laser / High Speed Modulation / DFB Laser / Temperature Stability |
| 資料番号 | EMD2010-60,CPM2010-76,OPE2010-85,LQE2010-58 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
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| 開催期間 | 2010/8/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improved performances of 1.3-μm InAs/GaAs high-density quantum dot Lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高密度量子ドット / High-Density Quantum Dot |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドットレーザ / Quantum Dot Laser |
| キーワード(3)（和/英） | 25Gb/s変調動作 / High Speed Modulation |
| キーワード(4)（和/英） | DFBレーザ / DFB Laser |
| キーワード(5)（和/英） | 温度安定性 / Temperature Stability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 有 / Yu TANAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:富士通(株):(株)QDレーザ:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 Fujitsu Laboratories Ltd.:Fujitsu Ltd.:QD Laser Inc.:Photonics Electronics Technology Research Association (PETRA) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高田 幹 / Kan TAKADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 NanoQuine, University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石田 充 / Mitsuru ISHIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 NanoQuine, University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松本 武 / Takeshi MATSUMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宋 海智 / Hai-Zhi SONG |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 江川 満 / Mitsuru EKAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中田 義昭 / Yoshiaki NAKATA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:(株)QDレーザ Fujitsu Laboratories Ltd.:QD Laser Inc. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 山本 剛之 / Tsuyoshi YAMAMOTO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 Fujitsu Laboratories Ltd.:Fujitsu Ltd.:Photonics Electronics Technology Research Association (PETRA) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 山口 正臣 / Masaomi YAMAGUCHI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)QDレーザ QD Laser Inc. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 西 研一 / Kenichi NISHI |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)QDレーザ QD Laser Inc. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 菅原 充 / Mitsuru SUGAWARA |
| 第 11 著者 所属（和/英） | (株)QDレーザ QD Laser Inc. |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 荒川 泰彦 / Yasuhiko ARAKAWA |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端科学技術研究センター NanoQuine, University of Tokyo:IIS, University of Tokyo:RCAST, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2010-08-27 |
| 資料番号 | EMD2010-60,CPM2010-76,OPE2010-85,LQE2010-58 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 178 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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