| 講演名 | 2010-08-27 相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般) 田中 大輝, 伊熊 雄一郎, 庄司 雄哉, 桑原 正史, 王 暁民, 金高 健二, 河島 整, 豊崎 達也, 津田 裕之, |
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| 抄録(和) | 膜厚が1μmと20nmの相変化材料(Ge_2Sb_2Te_5)薄膜を有する光ゲートスイッチを設計・試作し,光パルス照射によるスイッチング動作に初めて成功した.厚膜型ゲートスイッチでは,波長1525nmから1600nmにおいてONからOFFへの一方向スイッチングを観測し,12.5dB以上の消光比を得た.薄膜型ゲートスイッチでは,二回のON/OFF/ON動作を観測し,出力光強度変化は一回目のON/OFF/ONにおいて14.3dB及び7.7dB,二回目のON/OFF/ONにおいて7.4dB及び4.4dBであった.結晶化光パルスはパルス幅453ns,ピークパワー63mW,アモルファス化光パルスはパルス幅10ns,ピークパワー150mWであり,それらの波長は660nmである. |
| 抄録(英) | Two types of optical gate switch using phase-change material (PCM) were fabricated. The one switch had a 1-μm-thick PCM (Ge_2Sb_2Te_5) layer and the other one had a 20-nm-thick PCM layer. We successfully demonstrated switching by laser pulse irradiation for the first time. As for the switch with a 1-μm-thick PCM layer, 'ON' to 'OFF' switching with an extinction ratio of more than 12.5 dB in the wavelength range from 1525 nm to 1600 nm was observed. The switch with a 20-nm-thick PCM layer was operated two cycles, 'ON' to 'OFF' to 'ON'. The changes of output power were 14.3 dB ('ON' to 'OFF' 1st), 7.7 dB ('OFF' to 'ON' 1st), 7.4 dB ('ON' to 'OFF' 2nd), and 4.4 dB ('OFF' to 'ON' 2nd), respectively. We used a laser pulse with a width of 453 ns and a peak power of 63 mW for crystallization and with a width of 10 ns and a peak power of 150 mW for amorphization. The wavelength of laser pulses was 660 nm. |
| キーワード(和) | 相変化材料 / Si細線導波路 / 光スイッチ |
| キーワード(英) | Phase-change material / Si wire waveguide / Optical switch |
| 資料番号 | EMD2010-53,CPM2010-69,OPE2010-78,LQE2010-51 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
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| 開催期間 | 2010/8/19(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Switching Demonstration of an Optical Gate Switch Using a Phase-Change Material Integrated with Si Waveguides |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 相変化材料 / Phase-change material |
| キーワード(2)（和/英） | Si細線導波路 / Si wire waveguide |
| キーワード(3)（和/英） | 光スイッチ / Optical switch |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 大輝 / Daiki TANAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Technology, Keio University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊熊 雄一郎 / Yuichiro IKUMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Technology, Keio University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 庄司 雄哉 / Yuya SHOJI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター Network Photonics Research Center, AIST |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 桑原 正史 / Masashi KUWAHARA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所光技術研究部門 Photonics Research Institute, AIST |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 王 暁民 / Xiaomin WANG |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所光技術研究部門 Photonics Research Institute, AIST |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 金高 健二 / Kenji KINTAKA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター Network Photonics Research Center, AIST |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 河島 整 / Hitoshi KAWASHIMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター Network Photonics Research Center, AIST |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 豊崎 達也 / Tatsuya TOYOSAKI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Technology, Keio University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 津田 裕之 / Hiroyuki TSUDA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Technology, Keio University |
| 発表年月日 | 2010-08-27 |
| 資料番号 | EMD2010-53,CPM2010-69,OPE2010-78,LQE2010-51 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 178 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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