講演名 2010-08-27
L字型Si細線導波路を用いた偏波変換器(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
若林 佑, 中村 正志, 山内 潤治, 中野 久松,
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抄録(和) L字型Si細線導波路を用いた偏波変換器を提案し,諸特性をYee格子に基づくビーム伝搬法と有限差分時間領域法を用いて解析する.はじめに,偏波変換長と挿入損失を評価し,構造値の最適化を行う.次に,偏波変換部における2つの直交モード間の実効屈折率差から,広帯域動作に必要な偏波変換部長を検討する.偏波変換部長を3.2μmに選ぶと,波長1.3~1.6μmの広帯域にわたって消光比20dB以上の偏波変換特性を維持できることを示す.また,その帯域内において,挿入損失が0.6dB以下であることを明示する.最後に,導波路に欠落部を2か所設けた偏波変換器を解析し,挿入損失を0.25dB以下に低減できることを明らかにする.
抄録(英) A polarization converter using an L-figured Si wire waveguide is developed and analyzed by the beam-propagation method based on Yee's mesh and the finite-difference time-domain method. We evaluate the polarization conversion length and the insertion loss to optimize the configuration parameters. To achieve wideband operation, the wavelength response of the effective index difference is investigated. When the converter length is chosen to be around 3.2 μm, the converter provides the wideband operation. The extinction ratio is more than 20 dB over a wide wavelength range of 1.3 μm to 1.6 μm, with the insertion loss being a value of less than 0.6 dB. Finally, we propose a polarization converter with two square defects. The insertion loss is reduced to be a value of less than 0.25 dB.
キーワード(和) 偏波変換器 / Yee格子 / ビーム伝搬法 / 有限差分時間領域法
キーワード(英) polarization converter / Yee's mesh / beam-propagation method / finite-difference time-domain method
資料番号 EMD2010-48,CPM2010-64,OPE2010-73,LQE2010-46
発行日

研究会情報
研究会 EMD
開催期間 2010/8/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electromechanical Devices (EMD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) L字型Si細線導波路を用いた偏波変換器(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) A polarization converter using an L-figured Si wire waveguide
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 偏波変換器 / polarization converter
キーワード(2)(和/英) Yee格子 / Yee's mesh
キーワード(3)(和/英) ビーム伝搬法 / beam-propagation method
キーワード(4)(和/英) 有限差分時間領域法 / finite-difference time-domain method
第 1 著者 氏名(和/英) 若林 佑 / Yuu WAKABAYASHI
第 1 著者 所属(和/英) 法政大学工学部
Faculty of Engineering, Hosei University
第 2 著者 氏名(和/英) 中村 正志 / Masashi NAKAMURA
第 2 著者 所属(和/英) 法政大学工学部
Faculty of Engineering, Hosei University
第 3 著者 氏名(和/英) 山内 潤治 / Junji YAMAUCHI
第 3 著者 所属(和/英) 法政大学工学部
Faculty of Engineering, Hosei University
第 4 著者 氏名(和/英) 中野 久松 / Hisamatsu NAKANO
第 4 著者 所属(和/英) 法政大学工学部
Faculty of Engineering, Hosei University
発表年月日 2010-08-27
資料番号 EMD2010-48,CPM2010-64,OPE2010-73,LQE2010-46
巻番号(vol) vol.110
号番号(no) 178
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日