| 講演名 | 2010-08-27 波長選択スイッチにおける電気干渉低減MEMSミラーアレイの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般) 阪田 知巳, 碓氷 光男, 内山 真吾, 下山 展弘, 松浦 徹, 石井 仁, 下川 房男, 佐藤 康博, |
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| 抄録(和) | 本稿は波長選択スイッチ(WSS)における電気干渉低減MEMSミラーアレイの作製に関する報告である.ミラーチップに関しては,ミラーを有機樹脂膜で被覆することによって,100%歩留まりで作製することを実現している.電極チップに関しては,厚膜多層配線技術を用いることによって,狭小空間に高アスペクト比の電気干渉壁を形成している.また,シールドキャップに関しては,Si(111)面の異方性エッチングによりSiのV溝を形成している.電極チップの電気干渉壁とシールドキャップの電界分離効果によって,各ミラーは電気干渉を受けることなく動作することを確認している. |
| 抄録(英) | This paper describes the fabrication of a MEMS mirror array with low electrical interference in a wavelength-selective switch (WSS). A MEMS mirror array chip is fabricated with 100% yield by encapsulating the mirrors with an organic film that protect them from process damage. A mirror-drive electrode chip has high-aspect-ratio electrical isolation walls in the narrow space between adjacent mirror-drive electrodes by using thick-multilevel interconnection technology. Shield caps are made by anisotropic etching of Si(111). Because of the electrical isolation effect of the walls and caps, each MEMS mirror operates with low electrical interference. |
| キーワード(和) | 波長選択スイッチ / WSS / MEMS / 電気干渉 |
| キーワード(英) | Wavelength-selective Switch / WSS / MEMS / Electrical Interference |
| 資料番号 | EMD2010-44,CPM2010-60,OPE2010-69,LQE2010-42 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
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| 開催期間 | 2010/8/19(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 波長選択スイッチにおける電気干渉低減MEMSミラーアレイの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Low-Electrical-Interference MEMS Mirror Array for Wavelength-selective Switches |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 波長選択スイッチ / Wavelength-selective Switch |
| キーワード(2)（和/英） | WSS / WSS |
| キーワード(3)（和/英） | MEMS / MEMS |
| キーワード(4)（和/英） | 電気干渉 / Electrical Interference |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 阪田 知巳 / Tomomi SAKATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 碓氷 光男 / Mitsuo USUI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 内山 真吾 / Shingo UCHIYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 下山 展弘 / MATSUURA Tohru / |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 / NTT Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松浦 徹 / Hiromu ISHII |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 NTT Corporation:Toyohashi University of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石井 仁 / Fusao SHIMOKAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社:豊橋技術科学大学 NTT Corporation:Kagawa University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 下川 房男 / Yasuhiro SATO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社:香川大学 NTT Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 佐藤 康博 |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 |
| 発表年月日 | 2010-08-27 |
| 資料番号 | EMD2010-44,CPM2010-60,OPE2010-69,LQE2010-42 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 178 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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