| 講演名 | 2010-08-26 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般) 武藤 星児, 宇野 武彦, 野毛 悟, |
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| 抄録(和) | シリカをベースとして、Ge,Ti,Snを混合ドープした多元素ドープシリカ薄膜において、紫外光励起による可視ルミネセンスが観測され、このルミネセンスは低温時には発光強度が増加する事が確認された。この多元素ドープシリカ薄膜と超構造シリカ薄膜の発光特性を比較し、構造による特性の違いを検討した。また、それら薄膜に加熱処理を施す事によるルミネセンスの観測を試みた。 |
| 抄録(英) | We previously reported strong luminescence by UV excitation from artificial-lattice thin films of ion doped silica glass (silica superstructure thin films). Recently, we observed UV induced luminescence from silica films containing mixed dopants of Ge, Ti and Sn. This report presents temperature dependence of the luminescence for both the superstructure silica and mix doped silica films. Two types of temperature dependencies were observed, that are (1) luminescence increased at low temperature region, (2) luminescence decreased at low temperature region. |
| キーワード(和) | シリカ / 多元素ドープ / 発光 / 超構造 |
| キーワード(英) | silica / many materials dope / luminescence / superstructure |
| 資料番号 | EMD2010-29,CPM2010-45,OPE2010-54,LQE2010-27 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
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| 開催期間 | 2010/8/19(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The luminescence by many materials dope silica thin film |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリカ / silica |
| キーワード(2)（和/英） | 多元素ドープ / many materials dope |
| キーワード(3)（和/英） | 発光 / luminescence |
| キーワード(4)（和/英） | 超構造 / superstructure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武藤 星児 / Seiji MUTOU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学工学部電気電子情報工学科 Kanagawa Inst. of Tech. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宇野 武彦 / Takehiko UNO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学工学部電気電子情報工学科 Kanagawa Inst. of Tech. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野毛 悟 / Satoru NOGE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沼津工業高等専門学校電気電子工学科 Numazu National College of Technology |
| 発表年月日 | 2010-08-26 |
| 資料番号 | EMD2010-29,CPM2010-45,OPE2010-54,LQE2010-27 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 178 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |