| 講演名 | 2010-08-27 ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般) 田辺 克明, /, 岩本 敏, 荒川 泰彦, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | III-V化合物半導体光源をSi基板ないし導波路上に形成した一体型デバイスは、光電子集積回路の実現に有効である。特に量子ドット(QD)レーザは低い発振閾値、高い温度動作安定性を有することから高密度集積に適している。我々は今回、ウェハ融着によるSi基板上電流注入型QDレーザを初めて実現したので報告する。作製したレーザは、Si上電流注入型QDレーザとして初めて1.3μm(>1.0μm)O-bandでの発振を達成し、また、閾値電流密度は360A/cm^2とSi上QDレーザとして最低値を得ている。 |
| 抄録(英) | III-V semiconductor compounds light sources monolithically formed on Si substrates or waveguides would be promising for realization of photonic-electronic integrated circuits. Quantum dot (QD) lasers particularly has low lasing threshold current densities and high thermal stability Specifically quantum dot (QD) lasers yield low lasing threshold current and high temperature stability and therefore are suitable for high-density integration. We report the first demonstration of an electrically pumped QD laser on a Si substrate fabricated by wafer bonding. Our device has achieved RT lasing at 1.3 μm (> 1.0 μm) O-band for the first time as an electrically pumped QD laser on Si. Its lasing threshold current density was 360 A/cm^2, the lowest out of QD lasers on Si. |
| キーワード(和) | 量子ドット / レーザ / シリコンフォトニクス / ウェハ張り合わせ |
| キーワード(英) | Quantum dot / Laser / Silicon photonics / Wafer bonding |
| 資料番号 | EMD2010-59,CPM2010-75,OPE2010-84,LQE2010-57 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2010/8/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1.3μm InAs/GaAs Quantum Dot Lasers on Si Substrates by Wafer Bonding |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / Quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | レーザ / Laser |
| キーワード(3)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| キーワード(4)（和/英） | ウェハ張り合わせ / Wafer bonding |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田辺 克明 / Katsuaki TANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所 Institute for Nano Quantum Information Electronics, University of Tokyo:Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | / / Denis GUIMARD |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所 Institute for Nano Quantum Information Electronics, University of Tokyo:Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩本 敏 / Damien BORDEL |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所 Institute for Nano Quantum Information Electronics, University of Tokyo:Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 荒川 泰彦 / Satoshi IWAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所 Institute for Nano Quantum Information Electronics, University of Tokyo:Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2010-08-27 |
| 資料番号 | EMD2010-59,CPM2010-75,OPE2010-84,LQE2010-57 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 179 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |