講演名 2010-08-26
位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
輪嶋 孝樹, 荒川 太郎, 多田 邦雄,
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抄録(和) InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)は,透明波長領域において巨大な屈折率変化を低電界・広波長域で得られ,高性能な光機能デバイスへの応用が期待される.これまで,InGaAs/InAlAs FACQWは,InP基板に対し格子整合するIII族組成比を用いて設計を行ってきたが,本研究では,III族組成比を変化させることにより積極的に歪みを導入し,価電子帯構造を変化させることにより,より優れた電界誘起屈折率変化特性を有するFACQW構造を見出した.これにより,V_π・L(印加電圧と変調部長の積)が約1/2となり,さらなる低電圧駆動が期待される.
抄録(英) An InGaAs/InAlAs five-layer asymmetric coupled quantum well (FACQW) theoretically shows giant refractive index change over wide wavelength region at low applied voltage and is promising for high performance optical devices based on phase shift. By introducing strain to the FACQW, valence band dispersions are modified and it improves the FACQW's electrorefractive index changes. For instance, V_π・L (product of applying voltage and modulation length) decreases by half. The proposed strained FACQW is very promising for high-performance optical modulators and switches.
キーワード(和) 量子井戸 / 五層非対称結合量子井戸 / 光変調器 / 光スイッチ / 電界誘起屈折率変化
キーワード(英) Quantum Well / Five-layer Asymmetric Coupled Quantum Well / Optical Modulator / Optical Switch / Electrorefractive Effect
資料番号 EMD2010-41,CPM2010-57,OPE2010-66,LQE2010-39
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2010/8/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Theoretical Analysis of Property Improvement of InGaAs/InAlAs Five-layer Asymmetric Coupled Quantum Well for phase modulator by Strain Application
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 量子井戸 / Quantum Well
キーワード(2)(和/英) 五層非対称結合量子井戸 / Five-layer Asymmetric Coupled Quantum Well
キーワード(3)(和/英) 光変調器 / Optical Modulator
キーワード(4)(和/英) 光スイッチ / Optical Switch
キーワード(5)(和/英) 電界誘起屈折率変化 / Electrorefractive Effect
第 1 著者 氏名(和/英) 輪嶋 孝樹 / Takaki WAJIMA
第 1 著者 所属(和/英) 横浜国立大学大学院
Graduate School of Eng., Yokohama National Univ.
第 2 著者 氏名(和/英) 荒川 太郎 / Taro ARAKAWA
第 2 著者 所属(和/英) 横浜国立大学大学院
Graduate School of Eng., Yokohama National Univ.
第 3 著者 氏名(和/英) 多田 邦雄 / Kunio TADA
第 3 著者 所属(和/英) 金沢工業大学大学院
Graduate School of Eng., Kanazawa Institute of Technology
発表年月日 2010-08-26
資料番号 EMD2010-41,CPM2010-57,OPE2010-66,LQE2010-39
巻番号(vol) vol.110
号番号(no) 179
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日