| 講演名 | 2010-07-30 レーザーアブレーション法によるSi基板上AlN薄膜の形成 中澤 日出樹, 鈴木 大樹, 遅澤 遼一, 岡本 浩, |
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| 抄録(和) | KrFエキシマレーザーおよび窒化アルミニウム(AlN)ターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi基板上にAlN薄膜を作製し、作製条件による薄膜の結晶性および表面モフォロジーの変化を調べた。薄膜の結晶性は、反射高速電子線回折、X線回折、フーリエ変換赤外分光、およびX線光電子分光を用いて評価した。また、表面モフォロジーの評価には原子間力顕微鏡および走査電子顕微鏡を用いた。各窒素圧力においてAlN 薄膜の結晶性が最も良好となる最適な基板温度が存在し、最適温度は窒素圧力の増加に伴い増加する傾向があることがわかった。500℃以下においても単結晶AlNが成長するが、基板温度700℃、窒素圧力1Paのときに結晶性および平坦性が最も良好なAlN薄膜が得られた。このときの二乗平均粗さは0.35nmであった。これらの結果は、成長表面からの窒素脱離および表面原子マイグレーションによって説明することができる。 |
| 抄録(英) | We have grown aluminum nitride (AlN) films on Si substrate by pulsed laser deposition using KrF excimer laser and an AlN target, and investigated the crystallinity and surface morphology of the grown films. The crystallinity of the films was evaluated by reflection high-energy electron diffraction, X-ray diffraction, Fourier-transform infrared spectroscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy. The surface morphology of the films was observed by atomic force microscopy and scanning electron microscopy. We found that the growth must be conducted within a certain temperature region at a given N_2 pressure to obtain a high-quality singlecrystalline AlN film. We also noted that the optimum temperature was an increasing function of N_2 pressure. Although single-crystalline films were grown at a temperature below 500℃, the film with the best crystallinity was obtained at 700℃ and 1 Pa in this study. The root-mean-square roughness of the best film was 0.35 nm. The results can be qualitatively explained in terms of the nitrogen desorption from the growing surfaces and the surface migration of adatoms. |
| キーワード(和) | 窒化アルミニウム / レーザーアブレーション / シリコン |
| キーワード(英) | Aluminum nitride / Pulsed laser deposition / Silicon |
| 資料番号 | CPM2010-38 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2010/7/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レーザーアブレーション法によるSi基板上AlN薄膜の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of AlN Films on Si Substrate by Pulsed Laser Deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化アルミニウム / Aluminum nitride |
| キーワード(2)（和/英） | レーザーアブレーション / Pulsed laser deposition |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン / Silicon |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中澤 日出樹 / Hideki NAKAZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 弘前大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Technology, Hirosaki University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 大樹 / Daiki SUZUKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 弘前大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Technology, Hirosaki University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 遅澤 遼一 / Ryoichi OSOZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 弘前大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Technology, Hirosaki University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岡本 浩 / Hiroshi OKAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 弘前大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Technology, Hirosaki University |
| 発表年月日 | 2010-07-30 |
| 資料番号 | CPM2010-38 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 154 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |