講演名 2010-01-29
一次元ランダム薄膜によるTE平面波の反射と透過 : 傾斜ゆらぎ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
田村 安彦,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) この報告では確率机関数法を用いて、傾斜ゆらぎを持つ一次元ランダム薄膜からのTE平面波の反射と透過を議論している。以前の論文[IEICE Trans. Electron., Vol. E92-C, no.1, pp.77-84, 2009]で示されたTE平面波入射に対する二次元的な誘電率のゆらぎを持つ薄膜によるランダム波動場のウィーナ・伊藤展開表現から始め、ゆらぎのーつの相関長を無限大とする極限を取ることで傾斜した一次元ゆらぎに対するランダム波動場と統計量を形式的に導出する。いくつかの一次元ランダム薄膜に対し、1次インコヒーレント散乱断面積と光学定理を数値計算例を示している。
抄録(英) This report studies reflection and transmission of a TE plane wave from a 1D random thin film with slanted fluctuation by means of the stochastic functional approach. By starting with a result for a 2D random thin film in the previous paper [IEICE Trans. Electron., Vol. E92-C, no.1, pp.77-84, 2009], the corresponding random wavefield representation and its statistical properties for 1D cases are formally derived when a correlation length of fluctuation goes to infinity. For several 1D random thin films, the first-order incoherent scattering cross section and the optical theorem are computed.
キーワード(和) 一次元ランダム媒質 / 薄膜 / 傾斜ゆらぎ / 反射と透過 / 確率汎関数法
キーワード(英) 1D random medium / thin film / slanted fluctuation / reflection and transmission / stochastic functional approach
資料番号 PN2009-72,OPE2009-210,LQE2009-192
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2010/1/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 ENG
タイトル(和) 一次元ランダム薄膜によるTE平面波の反射と透過 : 傾斜ゆらぎ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Reflection and Transmission of a TE Plane Wave from a One-dimensional Random Thin Film : Slanted fluctuation
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 一次元ランダム媒質 / 1D random medium
キーワード(2)(和/英) 薄膜 / thin film
キーワード(3)(和/英) 傾斜ゆらぎ / slanted fluctuation
キーワード(4)(和/英) 反射と透過 / reflection and transmission
キーワード(5)(和/英) 確率汎関数法 / stochastic functional approach
第 1 著者 氏名(和/英) 田村 安彦 / Yasuhiko TAMURA
第 1 著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
The Graduate School of Engineering and Design, Kyoto Institute of Technology
発表年月日 2010-01-29
資料番号 PN2009-72,OPE2009-210,LQE2009-192
巻番号(vol) vol.109
号番号(no) 403
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日