| 講演名 | 2010-01-29 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPべースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般) 雨宮 智宏, 進藤 隆彦, 高橋 大佑, 西山 伸彦, 荒井 滋久, |
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| 抄録(和) | 本研究は、従来の化合物半導体をべースとした導波路型光素子に、誘電率や透磁率の値を人工的に制御できる「メタマテリアル」の概念を融合することによって、既存の技術では不可能であった新しい機能をもった素子(左手系光制御デバイス)を実現できる可能性がある。本稿では、光通信帯域におけるメタマテリアルの動的制御をべースとしたデバイスとして全光スイッチを提案し、理論・実験の両面から検討を行う。 |
| 抄録(英) | We realized an InP-based optical waveguide device combined with left-handed material (metamaterial) and demonstrated magnetic interaction with the metamaterial and light that traveled in the waveguide. The metamaterial consists of an array of minute metal split-ring resonators (SRRs) attached on the waveguide. The operation wavelength is set to 1.5 tim. The transmission characteristics of the device strongly depend on the polarization and wavelength of input light. This shows that the SRR array interacted with the magnetic field of light and produced magnetic resonance at optical frequencies. Our result is useful to develop waveguide-based matamaterial devices for optical communication. |
| キーワード(和) | 光集積 / メタマテリアル / 光学特性 |
| キーワード(英) | Integrated Optics / Meta-material / Optical Properties |
| 資料番号 | PN2009-58,OPE2009-196,LQE2009-178 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2010/1/21(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPべースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Magnetic Interaction at Optical Frequencies in InP-based Waveguide Device Combined with Metamaterial |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光集積 / Integrated Optics |
| キーワード(2)（和/英） | メタマテリアル / Meta-material |
| キーワード(3)（和/英） | 光学特性 / Optical Properties |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 雨宮 智宏 / Tomohiro AMEMIYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 進藤 隆彦 / Takahiko SHINDO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高橋 大佑 / Daisuke TAKAHASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西山 伸彦 / Nobuhiko NISHIYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa ARAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2010-01-29 |
| 資料番号 | PN2009-58,OPE2009-196,LQE2009-178 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 403 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |