| 講演名 | 2010-01-29 レンズを用いたファイバアレイ結合による光RAM用メモリ素子の高密度集積化に関する予備的検討(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般) 田原 裕一朗, バスタワロス ハニー・アヤド, 姜 海松, 松尾 慎治, 浜本 貴一, |
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| 抄録(和) | ファイバアレイとの光結合は、光RAM用の集積メモリ素子の実用化において重要である。特に我々は、ファイバアレイピッチ間隔の数分の1程度に素子出力ポートを狭間隔設定することによる、一層の高密度集積の可能性を検討しており、出力ポートを狭間隔化しながらも、通常のピッチ間隔を有するファイバアレイへの光結合方法が課題であった。そこで我々は、ファイバアレイ前段に2枚レンズを挿入し、ビーム間隔を広げることによる、高密度集積素子に対するファイバアレイとの光結合を検討している。今回は予備的検討として、ピッチ間隔300μmの2ビット集積素子に対して、結像倍率が3倍となるよう前段レンズを挿入し、所望のビーム間隔が実際に得られるかを検討した。その結果、3倍のビーム間隔に相当するビーム間隔900μmが得られ、高密度集積化技術としての有用性を確認したので報告する。 |
| 抄録(英) | Optical coupling between fiber-array and memory element for optical random access memory (RAM) is important for future dense integration. One way is to decrease the adjacent element distance in the integrated device. With decreasing the adjacent element distance, optical coupling between regular fiber-array and RAIVI elements has been the problem. To solve this problem, we have considered to insert a two-lenses system in between the fiber-array and the RAM elements. As a fundamental research, we inserted a two-lenses system to triple the beam pitch to match the element distance to the regular fiber array pitch. As a result, we could obtain tripled beam-pitch successfully by using the two-lenses system. |
| キーワード(和) | 光結合 / レンズ / 集積メモリ素子 |
| キーワード(英) | optical coupling / lens / integrated memory element |
| 資料番号 | PN2009-54,OPE2009-192,LQE2009-174 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2010/1/21(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レンズを用いたファイバアレイ結合による光RAM用メモリ素子の高密度集積化に関する予備的検討(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fundamental research on dense integration of memory elements for optical random access memory (RAM) by using lens coupling with fiber-array |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光結合 / optical coupling |
| キーワード(2)（和/英） | レンズ / lens |
| キーワード(3)（和/英） | 集積メモリ素子 / integrated memory element |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田原 裕一朗 / Yuichiro Tahara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学総合理工学府 I-Eggs (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences), Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | バスタワロス ハニー・アヤド / Hany Ayad Bastawrous |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学総合理工学府 I-Eggs (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences), Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 姜 海松 / Haisong Jiang |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学総合理工学府 I-Eggs (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences), Kyushu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松尾 慎治 / Shinji Matsuo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT photonics laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 浜本 貴一 / Kiichi Hamamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 九州大学総合理工学府 I-Eggs (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences), Kyushu University |
| 発表年月日 | 2010-01-29 |
| 資料番号 | PN2009-54,OPE2009-192,LQE2009-174 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 403 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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