講演名 | 2009-12-11 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作に向けた検討(半導体レーザ関連技術,及び一般) 坂口 淳, 片山 健夫, 河口 仁司, |
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抄録(和) | 面発光半導体レーザ(VCSEL)の偏光双安定性を用いた光バッファメモリの高速動作のためには、制御入力光の周波数離調及び強度の適切な設定が必要である。波長980nm帯VCSELの高速スイッチング特性を側定し、メモリ動作が可能な入力光の離調及び強度の範囲を予測した。我々がこれまでに作成したVCSELを用いる事により20Gb/sまでのメモリ動作が可能と予測した。また、2モードレート方程式モデルに基づくシミュレーションによってVCSELの偏光スイッチング動作は良く再現され、これを用いてより高速なメモリ動作の動作条件の予測が可能である。入力信号の高速化に伴い動作範囲は狭まっていくが、VCSEL共振器のQ値を下げる事により動作範囲が広がり、高速化(40Gb/s)が可能である事を示した。 |
抄録(英) | Ultrafast operation of all-optical buffer memories based on the polarization bistability of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) requires elaborate tuning of the carrier frequency and peak power of the input optical signals. We devised a method to estimate the operating windows of VCSEL-based optical memories, and characterized those of a 980-nm VCSEL for input data rates from 10 to 20 Gb/s. The measured result indicates that our VCSEL is ready for 20-Gb/s memory operation. We explained the measured polarization-switching characteristics successfully through numerical analyses based on a two-mode rate equation model. We predict that faster memory operation as 40 Gb/s will be possible by using a VCSEL with a low Q factor. |
キーワード(和) | 面発光半導体レーザ(VCSEL) / 偏光双安定性 / 光バッファメモリ / 全光信号処理 |
キーワード(英) | Vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL) / Polarization bistability / Optical buffer / All-optical signal processing |
資料番号 | LQE2009-150 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
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開催期間 | 2009/12/4(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作に向けた検討(半導体レーザ関連技術,及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Investigation of optical buffers based on polarization bistable VCSELs for high switching-speed operation |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 面発光半導体レーザ(VCSEL) / Vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL) |
キーワード(2)(和/英) | 偏光双安定性 / Polarization bistability |
キーワード(3)(和/英) | 光バッファメモリ / Optical buffer |
キーワード(4)(和/英) | 全光信号処理 / All-optical signal processing |
第 1 著者 氏名(和/英) | 坂口 淳 / Jun SAKAGUCHI |
第 1 著者 所属(和/英) | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 片山 健夫 / Takeo KATAYAMA |
第 2 著者 所属(和/英) | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 河口 仁司 / Hitoshi KAWAGUCHI |
第 3 著者 所属(和/英) | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
発表年月日 | 2009-12-11 |
資料番号 | LQE2009-150 |
巻番号(vol) | vol.109 |
号番号(no) | 331 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |