| 講演名 | 2009-12-11 端面発光型AlGaInAsレーザの端面応力が信頼性に及ぼす影響(半導体レーザ関連技術,及び一般) 市川 弘之, 熊谷 安紀子, 河野 直哉, 松川 真治, 福田 智恵, 岩井 圭子, 生駒 暢之, |
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| 抄録(和) | 端面発光型レーザの信頼性を左右する指標の1つに、端面の応力が挙げられる。しかしながら、高速変調・高温動作に優れたAlGaInAsレーザでは、端面応力が信頼性に及ぼす影響が分かっていなかった。そこで今回、1.3μm端面発光型AlGaInAsレーザを用いて端面応力と信頼性の関係を調査した。端面コーティングの形成条件を変化させて、応力の値は約200MPaと同等ながら、応力の向きを引張、圧縮と変えた2種類のレーザを作製した。それらのレーザに対して、光に対する耐性を評価する順方向ESD試験、85℃ 8mW 5000hの長期信頼性試験、絶対定格を超えた85℃ 200mA 800hの加速劣化試験を実施した。順方向ESD試験での1kVの劣化率は、圧縮応力の方が引張応力より33%減少した。この効果は、端面の活性層のバンドギャップ拡大により、光吸収による発熱が低減されたことを示唆している。長期信頼性試験では、引張応力と圧縮応力で寿命に差異は無く、長期信頼性が端面応力の向きに依存する傾向は見られなかった。加速劣化試験では、光吸収による劣化とは異なり、端面の活性層に転位網が形成される劣化が引張応力でのみ発生した。劣化機構の詳細は分かっていないが、圧縮応力では全く劣化しないことから、劣化の発生が端面応力に依存することが分かった。 |
| 抄録(英) | Although facet stress is one of the important parameters in edge-emitting laser diodes (LDs), the relationship between facet stress and reliability in AlGaInAs edge-emitting LDs has been unclear. Thus, we prepared two types of LDs which difference is stress-direction at the facet. We carried out three types of reliability tests: forward-biased electrostatic discharge (ESD) tests, long-tern reliability tests, and accelerated aging tests. In ESD tests, cumulative degradation ratio of compressive-stress was 33% lower than that of tensile-stress. This effect was obtained by decrease in optical absorption. In long-term aging tests of 85℃ 8mW 5000h, degradation did not occur. In accelerated aging tests of 85℃ 200mA 800h, degradation occurred only for tensile-stress. This degradation mechanism was different from that due to optical absorption. Although degradation mechanism has been unclear, we found that this degradation is dependent on stress-direction at the facet. |
| キーワード(和) | AlGaInAs / レーザ / 応力 / 信頼性 |
| キーワード(英) | AlGaInAs / Laser / Stress / Reliability |
| 資料番号 | LQE2009-142 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/12/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 端面発光型AlGaInAsレーザの端面応力が信頼性に及ぼす影響(半導体レーザ関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Relationship between Facet Stress and Reliability of Edge-Emitting AlGaInAs Laser Diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaInAs / AlGaInAs |
| キーワード(2)（和/英） | レーザ / Laser |
| キーワード(3)（和/英） | 応力 / Stress |
| キーワード(4)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 市川 弘之 / Hiroyuki ICHIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所:住友電気工業株式会社解析技術研究センター Transmission Devices R&D Laboratory, Sumitomo Electric Industries, Ltd.:Analysis Technology Reserch Center, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 熊谷 安紀子 / Akiko KUMAGAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Devices R&D Laboratory, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 河野 直哉 / Naoya KONO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Devices R&D Laboratory, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松川 真治 / Shinji MATSUKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社解析技術研究センター Analysis Technology Reserch Center, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 福田 智恵 / Chie FUKUDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Devices R&D Laboratory, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岩井 圭子 / Keiko IWAI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Devices R&D Laboratory, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 生駒 暢之 / Nobuyuki IKOMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Devices R&D Laboratory, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 発表年月日 | 2009-12-11 |
| 資料番号 | LQE2009-142 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 331 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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