| 講演名 | 2009-12-18 モノリシクに集積したシリコン可変光減衰器とゲルマニウムフォトダイ オードの同期動作(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般) 朴 成鳳, 土澤 泰, 渡辺 俊文, 篠島 弘幸, 西 英隆, 山田 浩治, 石川 靖彦, 和田 一美, 板橋 聖一, |
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| 抄録(和) | モノリシクに集積したGe p-i-nフォトダイオード(PD)とSi可変光減衰器(VOA)に関する研究を行った。Ge PDは逆バイアス1Vで60nA程度の暗電流と0.85A/Wの感度を示した。Si VOAはRib型-導波路にp-i-n構造で形成されコアに相当するi領域に電流を注入することによって、自由キャリア吸収(Free carrier absorption)を誘起し透過光量を制御する。Ge PDはおよそ1GHzの帯域幅を示し、Si VOAは数ナノ秒の反応速度を示した。これらを集積したデバイスでSi VOAとGe PDが100MHzの伝送速度で同期動作することを確認した。このようなGe PD、Si VOAがモノリシクに集積されたデバイスは、今後様々な応用が期待される。 |
| 抄録(英) | We have investigated monolithically integrated Ge p-i-n photodiodes and Si variable optical attenuators (VOAs). The Ge photodiode exhibits low dark current of 60 nA and high responsivity of 0.85 A/W at -1 V. Si VOA also shows efficient light attenuation, as the injection current increases. Furthermore, the Ge photodiode shows approximately 1 GHz of 3-dB cut-off frequency while fall and rise time of Si VOAs are few nanoseconds. These dynamic properties ensure synchronized operation between Si VOA and Ge photodiode at 100 MHz. Such a device configuration, consisting of a tapping splitter, a Ge photodiode as a monitoring detector, and a Si VOA is useful for a signal equalization application in burst-mode optical communication. |
| キーワード(和) | Si可変光減衰器 / Geフォトダイオード / モノリシク集積 / 同期動作 |
| キーワード(英) | Si VOA / Ge photodiode / Monolithic integration / Synchronized operation |
| 資料番号 | OPE2009-169 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2009/12/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | モノリシクに集積したシリコン可変光減衰器とゲルマニウムフォトダイ オードの同期動作(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Synchronized Operation of a Monolithically-Integrated Si VOA and Ge Photodiode |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si可変光減衰器 / Si VOA |
| キーワード(2)（和/英） | Geフォトダイオード / Ge photodiode |
| キーワード(3)（和/英） | モノリシク集積 / Monolithic integration |
| キーワード(4)（和/英） | 同期動作 / Synchronized operation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 朴 成鳳 / Sungbong Park |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTマイクロシステムインテグレーション研究所 NTT Microsystem Integration Laboratories, NTT Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 土澤 泰 / Tai Tsuchizawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTマイクロシステムインテグレーション研究所 NTT Microsystem Integration Laboratories, NTT Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渡辺 俊文 / Toshifumi Watanabe |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTTマイクロシステムインテグレーション研究所 NTT Microsystem Integration Laboratories, NTT Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 篠島 弘幸 / Hiroyuki Shinozima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTマイクロシステムインテグレーション研究所 NTT Microsystem Integration Laboratories, NTT Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 西 英隆 / Hidetaka Nishi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTTマイクロシステムインテグレーション研究所 NTT Microsystem Integration Laboratories, NTT Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山田 浩治 / Koji Yamada |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NTTマイクロシステムインテグレーション研究所 NTT Microsystem Integration Laboratories, NTT Corp. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京大学工学部マテリアル工学専攻 Department of Materials Engineering, The University of Tokyo |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 和田 一美 / Kazumi Wada |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東京大学工学部マテリアル工学専攻 Department of Materials Engineering, The University of Tokyo |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 板橋 聖一 / Seiichi Itabashi |
| 第 9 著者 所属（和/英） | NTTマイクロシステムインテグレーション研究所 NTT Microsystem Integration Laboratories, NTT Corp. |
| 発表年月日 | 2009-12-18 |
| 資料番号 | OPE2009-169 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 353 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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