講演名 2009-12-18
電流注入によるEr添加Si酸化膜からの1.5μm赤外発光(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
中 良弘, 曽根田 真也, 中野 誠一, 疋田 創, 住吉 猛, 土屋 昌弘, 中村 有水,
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抄録(和) シリコンフォトニクスにおいて,シリコン細線導波路に適用可能な波長1.1μm以上のシリコン(Si)系発光素子の開発が重要課題となっており,この実現を目指す手法のひとつとしてエルビウム(Er)をSi系材料に添加した発光素子の研究が活発になされている.我々はEr添加シリコン酸化膜(SiO_x)を発光層とし,それをp型(窒化ガリウム)およびn型(酸化スズ)のワイドギャップ半導体で挟んだヘテロ接合構造を形成し,電流注入を試みた.その結果,室温において1.5μm帯の赤外発光を確認した.そして,本構造を用いることで印可電圧-発光強度特性における閾値電圧が10~20V程度と従来の報告に比べて低電圧化が図れることを示した.
抄録(英) We have observed room-temperature 1.5μm-infrared electroluminescence (EL) from a p-i-n heterostructure: n-SnO_2 / Er-doped SiO_x / p-GaN. The n-SnO_2 and p-GaN layers are introduced for efficient current-injection via their wide-gap semiconductor properties. We have also confirmed low threshold voltage of about 10~20V in the voltage dependence of EL intensity.
キーワード(和) シリコンフォトニクス / エルビウム / シリコン酸化膜
キーワード(英) Silicon photonics / Erbium / Silicon suboxide
資料番号 OPE2009-168
発行日

研究会情報
研究会 OPE
開催期間 2009/12/11(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Optoelectronics (OPE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 電流注入によるEr添加Si酸化膜からの1.5μm赤外発光(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Electro-luminescence at 1.5μm from Er-doped SiO_x
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon photonics
キーワード(2)(和/英) エルビウム / Erbium
キーワード(3)(和/英) シリコン酸化膜 / Silicon suboxide
第 1 著者 氏名(和/英) 中 良弘 / Yoshihiro NAKA
第 1 著者 所属(和/英) 熊本大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Kumamoto University
第 2 著者 氏名(和/英) 曽根田 真也 / Shinya SONEDA
第 2 著者 所属(和/英) 熊本大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Kumamoto University
第 3 著者 氏名(和/英) 中野 誠一 / Seiichi NAKANO
第 3 著者 所属(和/英) 熊本大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Kumamoto University
第 4 著者 氏名(和/英) 疋田 創 / Tsukuru HIKIDA
第 4 著者 所属(和/英) 熊本大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Kumamoto University
第 5 著者 氏名(和/英) 住吉 猛 / Takeshi SUMIYOSHI
第 5 著者 所属(和/英) 熊本大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Kumamoto University
第 6 著者 氏名(和/英) 土屋 昌弘 / Masahiro TSUCHIYA
第 6 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構
National Institute of Information and Communications Technology (NICT)
第 7 著者 氏名(和/英) 中村 有水 / Yusui NAKAMURA
第 7 著者 所属(和/英) 熊本大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Kumamoto University
発表年月日 2009-12-18
資料番号 OPE2009-168
巻番号(vol) vol.109
号番号(no) 353
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日