講演名 | 2009-12-18 電流注入によるEr添加Si酸化膜からの1.5μm赤外発光(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般) 中 良弘, 曽根田 真也, 中野 誠一, 疋田 創, 住吉 猛, 土屋 昌弘, 中村 有水, |
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抄録(和) | シリコンフォトニクスにおいて,シリコン細線導波路に適用可能な波長1.1μm以上のシリコン(Si)系発光素子の開発が重要課題となっており,この実現を目指す手法のひとつとしてエルビウム(Er)をSi系材料に添加した発光素子の研究が活発になされている.我々はEr添加シリコン酸化膜(SiO_x)を発光層とし,それをp型(窒化ガリウム)およびn型(酸化スズ)のワイドギャップ半導体で挟んだヘテロ接合構造を形成し,電流注入を試みた.その結果,室温において1.5μm帯の赤外発光を確認した.そして,本構造を用いることで印可電圧-発光強度特性における閾値電圧が10~20V程度と従来の報告に比べて低電圧化が図れることを示した. |
抄録(英) | We have observed room-temperature 1.5μm-infrared electroluminescence (EL) from a p-i-n heterostructure: n-SnO_2 / Er-doped SiO_x / p-GaN. The n-SnO_2 and p-GaN layers are introduced for efficient current-injection via their wide-gap semiconductor properties. We have also confirmed low threshold voltage of about 10~20V in the voltage dependence of EL intensity. |
キーワード(和) | シリコンフォトニクス / エルビウム / シリコン酸化膜 |
キーワード(英) | Silicon photonics / Erbium / Silicon suboxide |
資料番号 | OPE2009-168 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | OPE |
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開催期間 | 2009/12/11(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(英) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 電流注入によるEr添加Si酸化膜からの1.5μm赤外発光(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Electro-luminescence at 1.5μm from Er-doped SiO_x |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
キーワード(2)(和/英) | エルビウム / Erbium |
キーワード(3)(和/英) | シリコン酸化膜 / Silicon suboxide |
第 1 著者 氏名(和/英) | 中 良弘 / Yoshihiro NAKA |
第 1 著者 所属(和/英) | 熊本大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Kumamoto University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 曽根田 真也 / Shinya SONEDA |
第 2 著者 所属(和/英) | 熊本大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Kumamoto University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 中野 誠一 / Seiichi NAKANO |
第 3 著者 所属(和/英) | 熊本大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Kumamoto University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 疋田 創 / Tsukuru HIKIDA |
第 4 著者 所属(和/英) | 熊本大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Kumamoto University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 住吉 猛 / Takeshi SUMIYOSHI |
第 5 著者 所属(和/英) | 熊本大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Kumamoto University |
第 6 著者 氏名(和/英) | 土屋 昌弘 / Masahiro TSUCHIYA |
第 6 著者 所属(和/英) | 情報通信研究機構 National Institute of Information and Communications Technology (NICT) |
第 7 著者 氏名(和/英) | 中村 有水 / Yusui NAKAMURA |
第 7 著者 所属(和/英) | 熊本大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Kumamoto University |
発表年月日 | 2009-12-18 |
資料番号 | OPE2009-168 |
巻番号(vol) | vol.109 |
号番号(no) | 353 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |