講演名 2010-01-28
化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
山内 学, 小南 裕子, 中西 洋一郎, 原 和彦,
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抄録(和) 六方晶窒化ホウ素(h-BN)の紫外発光蛍光体への応用に着目し、BCl_3およびNH_3を原料とする化学気相法を用いてh-BN粉末の作製を行った。目的は、高品質なh-BN粉末を合成するためのプロセスの探索と、発光制御に関する知見を得ることである。実験では、反応温度を1800℃で一定とし、主として原料およびN_2キャリアガスの流量を変化させることで特性の合成条件依存性を調べた。X線回折測定からは、試料はアモルファスまたは異相を含む状態であることがわかった。一方、発光特性に関しては、カソードルミネッセンススペクトルにおいて300~350nmに現れる不純物発光が支配的であるものの、215~240nmのバンド端発光を示す試作を作製することができた。
抄録(英) Hexagonal boron nitride (h-BN) powders have been fabricated by a chemical vapor method aiming at its application for the UV phosphors. The purposes of this study are the optimization of synthesis conditions and the characterization of luminescence properties of h-BN. The dependence of synthesis conditions on the powder properties has been examined by changing mainly flow rates of gases with a reaction temperature kept at 1800℃ during synthesis. The X-ray diffraction measurement has revealed that the samples include amorphous or the other unknown phase. On the other hand, the sample showing the band edge emission in the wavelength region of 215~240nm has been fabricated although the cathodoluminescence spectrum is dominated by the impurity-related band in 300~350nm.
キーワード(和) 六方晶窒化ホウ素 / 紫外発光 / 化学気相法 / カソードルミネッセンス
キーワード(英) hexagonal boron nitride / UV emission / chemical vapor synthesis / cathodoluminescence
資料番号 EID2009-60
発行日

研究会情報
研究会 EID
開催期間 2010/1/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Information Displays (EID)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fabrication of h-BN powder by chemical vapor deposition
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 六方晶窒化ホウ素 / hexagonal boron nitride
キーワード(2)(和/英) 紫外発光 / UV emission
キーワード(3)(和/英) 化学気相法 / chemical vapor synthesis
キーワード(4)(和/英) カソードルミネッセンス / cathodoluminescence
第 1 著者 氏名(和/英) 山内 学 / Manabu YAMAUCHI
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
第 2 著者 氏名(和/英) 小南 裕子 / Hiroko KOMINAMI
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
第 3 著者 氏名(和/英) 中西 洋一郎 / Yoichiro NAKANISHI
第 3 著者 所属(和/英) 静岡大学
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
第 4 著者 氏名(和/英) 原 和彦 / Kazuhiko HARA
第 4 著者 所属(和/英) 静岡大学
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
発表年月日 2010-01-28
資料番号 EID2009-60
巻番号(vol) vol.109
号番号(no) 404
ページ範囲 pp.-
ページ数 3
発行日