| 講演名 | 2010-01-28 レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ) 山崎 貴久, 清野 俊明, 小南 裕子, 中西 洋一郎, 畑中 義式, 原 和彦, |
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| 抄録(和) | 本研究ではSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製を行っている。作製には850℃程度の熱処理が必要であるが、通常のガラス基板では600℃以上の高温に耐えられないため熱処理の低温化が必要であり、解決策として我々はレーザアニールを用いている。以前はレーザ光源にKrFエキシマレーザ(248nm)を使用していたが、発光特性の向上が難しく、今回はNd:YAGレーザの三倍波(355nm)を用いて実験を行い、その効果を調べた。Ga_2S_3:Eu(1 mol%), SrS:Eu(2 mol%)の二つのペレットを二元電子ビームにより蒸着させ、その後高温プロセスとして高温熱アニール(850℃)、低温プロセスとしてプレアニール(500℃)後レーザアニールを行った。後者の方法においてもSrGa_2S_4相が形成され、CL測定においてSrGa_2S_4中のEu^<2+>に起因する530nmにピークを持つ緑色発光が観測された。これらのことからレーザ光の波長の選択により低温プロセスでも高輝度のSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体が形成されることが分かる。10kV、60μA/cm^2の電子線励起下で18,000cd/m^2のCL輝度が得られた。これは高温プロセスに匹敵する輝度である。 |
| 抄録(英) | In this study, We have been prepared the SrGa_2S_4:Eu thin film phosphors. Preparation of the SrGa_2S_4:Eu needs high temperature annealing. But an ordinary substrate can't stand high temperature over 600℃. We use the laser annealing method, in order to solve this problem. In the before study, KrF excimer laser (248nm) was used for beam source. It was difficult to achieve good emission properties by this method. In the present study, Nd:YAG laser (355nm) was used, and we analyzed effect of this change. Two pellets, Ga_2S_3:Eu(1 mol%) and SrS:Eu(2 mol%) are deposited by two Electron Beams (EB) evaporation system. After deposited, high temperature annealing (850℃) and laser annealing after pre-annealing (500℃) were carried out. On the latter method samples showed SrGa_2S_4 phase by XRD, and green emissin peaked at 533 nm based on Eu^<2+> ion in SrGa_2S_4. Therefore, it was found that high-luminance SrGa_2S_4:Eu thin film can be prepared on low temperature lower than 600℃. On the CL luminance, it was showed 18,000 cd/m^2 higher than the high temperature annealing sample under excitation with 10kV, 60μA/cm^2. This result showed the strong improvement of emitting properties was achieved. |
| キーワード(和) | SrGa_2S_4:Eu / 薄膜蛍光体 / 二元電子ビーム / レーザアニール / XRD / CL |
| キーワード(英) | SrGa_2S_4 / Thin film phosphors / Two Electron Besms / XRD / CL |
| 資料番号 | EID2009-58 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2010/1/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation and CL properties of SrGa_2S_4:Eu thin film phosphors by laser annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SrGa_2S_4:Eu / SrGa_2S_4 |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜蛍光体 / Thin film phosphors |
| キーワード(3)（和/英） | 二元電子ビーム / Two Electron Besms |
| キーワード(4)（和/英） | レーザアニール / XRD |
| キーワード(5)（和/英） | XRD / CL |
| キーワード(6)（和/英） | CL |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山崎 貴久 / Takahisa YAMASAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 清野 俊明 / Toshiaki SEINO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本製鋼所 Japan Steel Works |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小南 裕子 / Hiroko KOMINAMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中西 洋一郎 / Yoichiro NAKANISHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Yoshinori HATANAKA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 愛知工科大学 Department of Electronics and Information Engineering, Aichi University of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 原 和彦 / Kazuhiko HARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2010-01-28 |
| 資料番号 | EID2009-58 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 404 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |