| 講演名 | 2010-01-28 直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl_2S_4:Eu EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ) 渡邉 康裕, 三浦 登, 松本 皓永, 中野 鐐太郎, |
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| 抄録(和) | 直流反応性スパッタリング法を用いて、BaAl_2S_4:Eu薄膜の作製を行った。導入ガスとしてArおよびH_2Sからなる混合ガスを使用した。混合ガス中のH_2S流量比率を2%、スパッタリング時の基板温度400℃、熱処理温度790℃の条件の時、最も良質なBaAl_2S_4薄膜が得られた。この薄膜を発光層とし、二重絶縁構造のEL素子を作製した。1kHz正弦波駆動においての輝度は14.44cd/m^2であった。さらに、ZnSバッファ層を挿入すると輝度が向上した。 |
| 抄録(英) | BaAl_2S_4:Eu thin films were prepared by DC reactive sputtering using Ar;H2S mixture gas. It was found that best condition of flow ratio (H2S/total gas) is 2%. The crystallinity and PL characteristics of BaAl_2S_4:Eu thin films show best under the condition of substrate temperature during the sputtering and annealing temperature are 400℃ and 790℃, respectively. EL devices having double insulating structure were fabricated with these conditions. The maximum luminance was 14.4 cd/m2 under the 1 kHz sinusoidal voltage. The maximum luminance level increased with insert the buffer layers between the phosphor layer and both insulating layers. |
| キーワード(和) | BaAl_2S_4:Eu / 直流反応性スパッタリング / EL |
| キーワード(英) | BaAl_2S_4:Eu / DC reactive sputtering / Electroluminescence |
| 資料番号 | EID2009-57 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2010/1/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl_2S_4:Eu EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | BaAl_2S_4:Eu EL Devices Prepared by DC-Reactive-Sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | BaAl_2S_4:Eu / BaAl_2S_4:Eu |
| キーワード(2)（和/英） | 直流反応性スパッタリング / DC reactive sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | EL / Electroluminescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡邉 康裕 / Yasuhiro WATANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 明治大学理工学部電子通信工学科 Department of Electronics & Communications, School of Science & Technology, Meiji University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三浦 登 / Noboru MIURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 明治大学理工学部電子通信工学科 Department of Electronics & Communications, School of Science & Technology, Meiji University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松本 皓永 / Hironaga MATSUMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 明治大学理工学部電子通信工学科 Department of Electronics & Communications, School of Science & Technology, Meiji University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中野 鐐太郎 / Ryotaro NAKANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 明治大学理工学部電子通信工学科 Department of Electronics & Communications, School of Science & Technology, Meiji University |
| 発表年月日 | 2010-01-28 |
| 資料番号 | EID2009-57 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 404 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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