| 講演名 | 2010-01-28 スパッタリング法によるSi添加AIN:Eu薄膜EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ) 稲田 育弘, 三浦 登, 松本 皓永, 中野 鐐太郎, |
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| 抄録(和) | 高周波マグネトロンスパッタリング法によりSi添加AIN:Eu青色蛍光体薄膜を作製した。金属Alに添加物粉末の焼結体を埋め込んだターゲットを用いることによりSi、Eu濃度の制御を行なった。薄膜は、Eu^<2+>イオンに起因する450nm付近にピークを持つ青色のPL発光を示した。CIE色度座標は(0.169,0.130)である。Si添加効果を調べるために薄膜中にSi濃度を変化させたところ、薄膜中に添加したSiは発光強度および青色純度を高めるのに重要な役割を持っていることがわかった。絶縁層にBaTa_2O_6を用いた二重絶縁構造のEL素子を作製したが、発光は微弱であった。 |
| 抄録(英) | Silicon doped blue-emitting AlN:Eu thin-films were prepared by rf magnetron sputtering method. The concentration of Eu and Si was controlled with the EuF_3 and Si_3N_4 contents in Al-based composite targets. PL spectra of Si doped AlN:Eu thin-films appeared at blue region having a peak around 450 nm due to the transition of divalent Eu ion. The Commission International de l'Eclairage (CIE) color coordinates were x=0.169 and y=0.130. To understand the effects of Si doping in the AlN:Eu thin-film phosphor, concentration dependence was measured. Although EL devices having the double insulating structure with using BaTa_2O_6 insulating film were also fabricated, the luminance was poor. |
| キーワード(和) | EL / 薄膜 / AlN / スパッタリング法 / Si添加 |
| キーワード(英) | EL / Thin-film / AlN / Sputtering / Si doping |
| 資料番号 | EID2009-56 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2010/1/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スパッタリング法によるSi添加AIN:Eu薄膜EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Si doped AlN : Eu Thin-Film EL Devices Prepared by Sputtering Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | EL / EL |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜 / Thin-film |
| キーワード(3)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(4)（和/英） | スパッタリング法 / Sputtering |
| キーワード(5)（和/英） | Si添加 / Si doping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 稲田 育弘 / Ikuhiro Inada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 明治大学理工学部電子通信工学科 Department of Electronics & Communications, School of Science and Technology, Meiji University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三浦 登 / Noboru Miura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 明治大学理工学部電子通信工学科 Department of Electronics & Communications, School of Science and Technology, Meiji University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松本 皓永 / Hironaga Matsumoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 明治大学理工学部電子通信工学科 Department of Electronics & Communications, School of Science and Technology, Meiji University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中野 鐐太郎 / Ryotaro Nakano |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 明治大学理工学部電子通信工学科 Department of Electronics & Communications, School of Science and Technology, Meiji University |
| 発表年月日 | 2010-01-28 |
| 資料番号 | EID2009-56 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 404 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |