| 講演名 | 2010-01-28 InGaN量子井戸中の非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ) 山口 朋彦, 五十嵐 航平, 福田 武司, 本多 善太郎, 鎌田 憲彦, |
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| 抄録(和) | 非破壊・非接触で非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の評価が可能な2波長励起フォトルミネッセンス法を用いて,障壁層と井戸層の両方にSiをドープしたMOCVD成長In_<0.16>Ga_<0.84>N/In_<0.02>Ga_<0.98>N量子井戸試料を評価した.PLスペクトルおよび積分PL強度の温度依存性では,Siドープ濃度の増加によってスペクトル半値幅が減少し,高温域での規格化PL強度が増大したことを確認した.更に,バンドギャップより低いエネルギーを持つBGE光の照射強度およびエネルギー依存性を調べ,BGEエネルギーが1.27～1.95eVでの規格化PL強度低下の緩和が見られた.これは禁制帯内に存在する非発光再結合密度が低減したためである.これらの結果から,障壁層や井戸層での結晶性の改善,非発光再結合率の低減による量子井戸へのキャリア注入と発光再結合率の向上が示された. |
| 抄録(英) | We investigated below-gap levels in MOCVD-grown Si-doped In_<0.16>Ga_<0.84>N/In_<0.02>Ga_<0.98>N Quantum well (QW) structures by an optical method of Two-wavelength Excited Photoluminescence, as the non-destructive, non-contacting spectroscopy without electrode. Though the dependence of intensity and energy (1.27～1.95eV) of the below-gap excitation on the photoluminescence intensity change, we found that Si-doping in both barrier and well layers reduced the density of below-gap states in the QW region. |
| キーワード(和) | InGaN / Siドープ / 量子井戸構造 / 非発光再結合準位 / 2波長励起フォトルミネッセンス法 |
| キーワード(英) | InGaN / Si-doping / Quantum well structure / Non-radiative recombination center / Two-wavelength excited photoluminescence |
| 資料番号 | EID2009-55 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2010/1/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaN量子井戸中の非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Nonradiative Recombination Centers in InGaN Quantum Wells by Two-Wavelength Excited Photoluminescence |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | Siドープ / Si-doping |
| キーワード(3)（和/英） | 量子井戸構造 / Quantum well structure |
| キーワード(4)（和/英） | 非発光再結合準位 / Non-radiative recombination center |
| キーワード(5)（和/英） | 2波長励起フォトルミネッセンス法 / Two-wavelength excited photoluminescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 朋彦 / Tomohiko YAMAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 埼玉大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Saitama University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 五十嵐 航平 / Kouhewi IGARASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 埼玉大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Saitama University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 福田 武司 / Takeshi FUKUDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 埼玉大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Saitama University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 本多 善太郎 / Zentaro HONDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 埼玉大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Saitama University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鎌田 憲彦 / Norihiko KAMATA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 埼玉大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Saitama University |
| 発表年月日 | 2010-01-28 |
| 資料番号 | EID2009-55 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 404 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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