| 講演名 | 2010-01-12 自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリの作製と閾値制御(センサ,デバイス,一般) 中川 隆, 横田 知之, 関谷 毅, 竹内 健, /, 染谷 隆夫, |
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| 抄録(和) | 自己組織化単分子膜(SAM)を絶縁層に用いることで,低電圧駆動フローティング(浮遊)ゲート型有機メモリトランジスタを作製した.書き込み,消去に必要な電圧は,-6V,3Vであり,これはシリコンで作製されるフローティングゲートトランジスタと比べても低い.浮遊ゲート層にキャリアを蓄積することで不揮発性メモリ機能を示し,保持時間は10^4s程度であった.また,保持時間の改善を目指し,閾値制御技術に取り組んだ.有機半導体層に用いたペンタセンの膜厚を10nm～90nmまで変化させた.これにより,書き込み状態と消去状態の閾値の差(ΔV_ | )を1.6V～3Vまでコントロールすることに成功した. | |||
| 抄録(英) | We have demonstrated to control threshold voltage (V_ | ) of the organic floating-gate transistors using self-assembled monolayer (SAM) for realizing organic nonvolatile memory array. For programming, -6 V is applied between the control gate and the source contact. To erase, +3 V is applied to discharge the floating gate and recover the initial threshold voltage. The charge retention time was about 10^4 s. The difference between V_ | on program-state and on erase-state (ΔV_ | ) is one of the most important factors for data retention. In this work, with changing the thickness of organic semiconductor pentacene from 10 to 90 nm, ΔV_ | can be systematically changed from 1.6 to 3 V. |
| キーワード(和) | 有機不揮発性メモリ / 浮遊ゲート型 / 閾値制御 / 自己組織化単分子膜 | ||||
| キーワード(英) | Organic non-volatile memory / Floating-gate / Threshold voltage control / Self-assembled monolayer(SAM) | ||||
| 資料番号 | OME2009-67 | ||||
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2010/1/5(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリの作製と閾値制御(センサ,デバイス,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and threshold voltage control of organic nonvolatile memory transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機不揮発性メモリ / Organic non-volatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | 浮遊ゲート型 / Floating-gate |
| キーワード(3)（和/英） | 閾値制御 / Threshold voltage control |
| キーワード(4)（和/英） | 自己組織化単分子膜 / Self-assembled monolayer(SAM) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中川 隆 / Takashi NAKAGAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学工学系研究科 Faculty of Engineering, Tokyo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 横田 知之 / Tomoyuki YOKOTA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学工学系研究科 Faculty of Engineering, Tokyo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 関谷 毅 / Tsuyoshi SEKITANI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学工学系研究科 Faculty of Engineering, Tokyo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken TAKEUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学工学系研究科 Faculty of Engineering, Tokyo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | / / Ute ZSCHIESCHANG |
| 第 5 著者 所属（和/英） | / Max Planck Institute for Solid State Research |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 染谷 隆夫 / Hagen KLAUK |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京大学工学系研究科 Max Planck Institute for Solid State Research |
| 発表年月日 | 2010-01-12 |
| 資料番号 | OME2009-67 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |