| 講演名 | 2010-04-23 高速メモリインターフェース : DDR/GDDR-DRAM(高速メモリIF,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) 高井 康浩, |
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| 抄録(和) | DDR/GDDR-DRAMの高速メモリインタフェースにおいて、制約の多いプロセス・デバイス技術で10Gb/s近いデータ転送速度を低消費電力で実現するために、DRAM特有のDLLやPLL、シグナルインテグリティ技術が数多く報告されている。3Dチップスタックも次世代の有力候補として注目されている。本講演では、高性能・低電力インタフェース回路を基礎から最先端技術まで概観し、将来技術動向の洞察を行う。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ICD2010-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2010/4/15(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高速メモリインターフェース : DDR/GDDR-DRAM(高速メモリIF,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高井 康浩 |
| 第 1 著者 所属（和/英） | エルピーダメモリ(株) |
| 発表年月日 | 2010-04-23 |
| 資料番号 | ICD2010-15 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 9 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 2 |
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