| 講演名 | 2010-04-23 データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) 畑中 輝義, 矢島 亮児, 堀内 健史, /, 高橋 光恵, 酒井 滋樹, 竹内 健, |
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| 抄録(和) | データセンター用SSD向け不揮発性ページバッファを備えたFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリを提案する。NANDフラッシュメモリへのランダム書き込みにより発生するデータの断片化は、書き込み速度の低下をもたらす。そこで本論文では、バッチライトアルゴリズムの導入によりランダム書き込みを高速化した。また、強誘電体を用いてページバッファを不揮発性回路化することで電源遮断時に書き込み待機データが消失する問題を解決し信頼性の向上を実現した。 |
| 抄録(英) | A ferroelectric (Fe)-NAND flash memory with a non-volatile (NV) page buffer is proposed. The data fragmentation in a random write is removed by introducing a batch write algorithm. As a result, the SSD performance can double. The NV-page buffer realizes a power outage immune highly reliable operation. With a low program/erase voltage, 6V and a high endurance, 100million cycles, the proposed Fe-NAND is most suitable for a highly reliable high-speed low power data center application enterprise SSD. |
| キーワード(和) | SSD / NAND / Flash / Ferroelectric |
| キーワード(英) | SSD / NAND / Flash / Ferroelectric |
| 資料番号 | ICD2010-11 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2010/4/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ferroelectric (Fe)-NAND Flash Memory with Non-volatile Page Buffer for Data Center Application Enterprise Solid-State Drives (SSD) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SSD / SSD |
| キーワード(2)（和/英） | NAND / NAND |
| キーワード(3)（和/英） | Flash / Flash |
| キーワード(4)（和/英） | Ferroelectric / Ferroelectric |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 畑中 輝義 / Teruyoshi HATANAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Graduate School of Engineering, The University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 矢島 亮児 / Ryoji YAJIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Graduate School of Engineering, The University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 堀内 健史 / Takeshi HORIUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門 Novel Electron Devices Group, Nanoelectronics Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | / / Shouyu Wang |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門 Novel Electron Devices Group, Nanoelectronics Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 光恵 / Xizhen Zhang |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門 Novel Electron Devices Group, Nanoelectronics Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 酒井 滋樹 / Mitsue TAKAHASHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門 Novel Electron Devices Group, Nanoelectronics Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Shigeki SAKAI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門 Novel Electron Devices Group, Nanoelectronics Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 発表年月日 | 2010-04-23 |
| 資料番号 | ICD2010-11 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 9 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |