| 講演名 | 2010-04-22 0.5V DRAMアレイ向け低しきい値CMOSプリアンプ(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) 小田部 晃, 柳川 善光, 秋山 悟, 関口 知紀, |
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| 抄録(和) | 低電力かつ高速な大容量DRAMアレイの実現に向け,低しきい値CMOSプリアンプを開発した。低しきい値CMOSプリアンプを適用したセンスアンプを用いることにより,データ線電圧が0.5Vのときのセンス時間を,従来プリアンプを適用したセンスアンプと比べ62%短くできた。また,ライトサイクル時に低しきい値CMOSプリアンプを一時的に活性化することにより,ライト時間を活性化しない場合と比べ72%短くできた。さらに,データ線電圧を0.8Vから0.5Vに低減することにより,アレイ動作電流を12%低減できた。 |
| 抄録(英) | A novel low-V_T CMOS preamplifier was developed for low-power and high-speed gigabit DRAM arrays. The sensing time of the sense amplifier with the proposed preamplifier at data-line voltage of 0.5 V is 62% shorter than that of the sense amplifier with a conventional preamplifier. By activating the proposed preamplifier temporarily during the write cycle, writing time is 72% shorter compared to the case without the proposed preamplifier. The operating current of a memory array with the proposed preamplifier is reduced by 12% by reducing data-line voltage from 0.8 to 0.5 V. |
| キーワード(和) | DRAM / 低電圧 / プリアンプ / センスアンプ |
| キーワード(英) | DRAM / Low voltage / Preamplifier / Sense amplifier |
| 資料番号 | ICD2010-6 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2010/4/15(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 0.5V DRAMアレイ向け低しきい値CMOSプリアンプ(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-V_T CMOS Preamplifier for 0.5-V Gigabit-DRAM Arrays |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 低電圧 / Low voltage |
| キーワード(3)（和/英） | プリアンプ / Preamplifier |
| キーワード(4)（和/英） | センスアンプ / Sense amplifier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小田部 晃 / Akira KOTABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柳川 善光 / Yoshimitsu YANAGAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 秋山 悟 / Satoru AKIYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 関口 知紀 / Tomonori SEKIGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 2010-04-22 |
| 資料番号 | ICD2010-6 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 9 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |