| 講演名 | 2010-04-22 しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) 田中丸 周平, 畑中 輝義, 矢島 亮児, 高橋 光恵, 酒井 滋樹, 竹内 健, |
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| 抄録(和) | 強誘電体トランジスタを使用した0.5V動作の6T-SRAMが提案され,実験的に実証された.提案のSRAMはNMOSの基板とPMOSの基板をそれぞれV_ |
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| 抄録(英) | A 0.5V 6T-SRAM with ferroelectric (Fe-) FETs is proposed and experimentally demonstrated for the first time. The proposed SRAM has a unique configuration to apply the body of NMOS and PMOS with V_| of Fe-FETs automatically changes to increase the static noise margin, SNM, by 60%. During the sand-by, the V_ | of the proposed SRAM cell increases to decrease the leakage current by 42%. The enlarged SNM realizes the V_ | |
| キーワード(和) | 強誘電体 / Fe-FET / SRAM | ||
| キーワード(英) | Ferroelectric / Fe-FET / SRAM | ||
| 資料番号 | ICD2010-5 | ||
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2010/4/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | ||
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) | |
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| 本文の言語 | JPN | |
| タイトル（和） | しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) | |
| サブタイトル（和） | ||
| タイトル（英） | 32% Lower Active Power, 42% Lower Leakage Current Ferroelectric 6T-SRAM with V_ | Self-Adjusting Function for 60% Larger Static Noise Margin (SNM) |
| サブタイトル（和） | ||
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体 / Ferroelectric | |
| キーワード(2)（和/英） | Fe-FET / Fe-FET | |
| キーワード(3)（和/英） | SRAM / SRAM | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中丸 周平 / Shuhei TANAKAMARU | |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース Dept. of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo |
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| 第 2 著者 氏名（和/英） | 畑中 輝義 / Teruyoshi HATANAKA | |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース Dept. of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo |
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| 第 3 著者 氏名（和/英） | 矢島 亮児 / Ryoji YAJIMA | |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース Dept. of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo |
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| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高橋 光恵 / Mitsue TAKAHASHI | |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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| 第 5 著者 氏名（和/英） | 酒井 滋樹 / Shigeki SAKAI | |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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| 第 6 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken TAKEUCHI | |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース Dept. of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo |
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| 発表年月日 | 2010-04-22 | |
| 資料番号 | ICD2010-5 | |
| 巻番号（vol） | vol.110 | |
| 号番号（no） | 9 | |
| ページ範囲 | pp.- | |
| ページ数 | 6 | |
| 発行日 | ||