| 講演名 | 2010-04-22 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) 藪内 誠, 新居 浩二, 塚本 康正, 中瀬 泰伸, 篠原 尋史, |
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| 抄録(和) | 低電圧低電力動作可能な新しいクロスポイント8T-SRAMを開発した。読み込み時、メモリセルのグラウンド(VSM)を負電位にすることで読み出しマージンとスピードを改善し、書き込み時はビット線(BL)を負電位にすることで書き込みマージンを改善した。45mmCMOSプロセスで1MbitのSRAMマクロを試作したところ0.6Vでの動作を確認した。従来の6T-SRAMと比較し66%動作電力が削減された。 |
| 抄録(英) | We propose a new design solution for embedded SRAM macros with cross point 8T-SRAM for low operating voltage and power. A negative bias technique for VSS and bitline (BL) enables us to achieve not only low power and high access speed, but also the large cell stability and write ability. Using 45-nm CMOS technology, we fabricated the SRAM macro based on our proposal and confirmed that the 1Mbit-SRAM successfully operated at 0.6V. The active power is reduced by 66%, compared to the conventional 6T SRAM.IEICE (The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers) provides a word template file for the Technical Report of IEICE. |
| キーワード(和) | SRAM / DVFS / クロスポイント / 8T / 45nm / アシスト回路 |
| キーワード(英) | SRAM / DVFS / cross point / 8T / 45nm / assist circuit |
| 資料番号 | ICD2010-3 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2010/4/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 45nm 0.6V Cross-Point 8T SRAM with Negative Biased Read/Write Assist |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | DVFS / DVFS |
| キーワード(3)（和/英） | クロスポイント / cross point |
| キーワード(4)（和/英） | 8T / 8T |
| キーワード(5)（和/英） | 45nm / 45nm |
| キーワード(6)（和/英） | アシスト回路 / assist circuit |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藪内 誠 / Makoto YABUUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 新居 浩二 / Koji NII |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 塚本 康正 / Yasumasa TSUKAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中瀬 泰伸 / Yasunobu NAKASE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 篠原 尋史 / Hirofumi SHINOHARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 2010-04-22 |
| 資料番号 | ICD2010-3 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 9 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |