講演名 2009-12-15
スルーレート改善の適応バイアス回路を有する広スィング・低ゲインエラー電圧バッファ(若手研究会)
, 範 公可,
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抄録(和) 本稿では、適応バイアスを有する電圧バッファについて述べる。適応バイアス回路を導入することにより、低消費電力及び高スルーレートの特性を有する電圧バッファ回路を提案し、0.35μmの標準CMOSプロセスによるシミュレーションの結果により、電源電圧3.3Vにおいて、提案回路の出力電圧範囲は3.0V、ゲインエラーは-51.5mdB、全高調波歪(THD)は-53.0dB、そして、立ち上がり及び立下りのスルーレートはそれぞれ58.9V/μs、5.4V/μsであることが確認できた。
抄録(英) An adaptively biased voltage buffer is proposed. Based on adaptive biasing, moderately high slew rate buffer has been implemented which operates with relatively low static power consumption of 1.22mW. Simulation results of the proposed circuit in 0.35um CMOS with 3.3V power supply shows that the circuit has large output range of 3.0V. The gain error being -51.5mdB, the slew-rate (rising) and slew-rate (falling) are respectively 58.9 V/us and 5.4 V/us. The buffer shows -53.0dB total harmonic distortion (THD).
キーワード(和) 電圧バッファ / 電圧フォロアー / 適応バイアス / ゲインエラー / 広スイング
キーワード(英) voltage buffer / voltage follower / adaptive biasing / gain-error / wide swing
資料番号 ICD2009-98
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2009/12/7(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 ENG
タイトル(和) スルーレート改善の適応バイアス回路を有する広スィング・低ゲインエラー電圧バッファ(若手研究会)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Wide Swing, Low Gain Error Voltage Buffer with Adaptive Biasing for Improving Slew-rate
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 電圧バッファ / voltage buffer
キーワード(2)(和/英) 電圧フォロアー / voltage follower
キーワード(3)(和/英) 適応バイアス / adaptive biasing
キーワード(4)(和/英) ゲインエラー / gain-error
キーワード(5)(和/英) 広スイング / wide swing
第 1 著者 氏名(和/英) / Jagatjyoti GHIMIRE
第 1 著者 所属(和/英) 電気通信大学電子工学部
Department of Electronics Engineering, University of Electro-Communication
第 2 著者 氏名(和/英) 範 公可 / Cong-Kha PHAM
第 2 著者 所属(和/英) 電気通信大学電子工学部
Department of Electronics Engineering, University of Electro-Communication
発表年月日 2009-12-15
資料番号 ICD2009-98
巻番号(vol) vol.109
号番号(no) 336
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日