講演名 2009-12-14
CMOS-RF回路における基板結合の評価と解析(若手研究会)
東 直矢, 永田 真,
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抄録(和) 高周波アナログ回路における基板ノイズの影響を,基板へ直接ノイズを注入することによって評価した。90nmプロセス2.45GHz帯のCMOS RFドライバアンプを使用し,ガードバンドのp^+を通じP基板に直接ノイズを注入,出力に現れるノイズの周波数成分や高調波成分を測定した。シミュレーションにおいて,素子の基板との結合,プローブ,パッド,主要な配線容量,ウェル,シリコン基板をモデル化を行い,出力されるノイズの一次成分を2dB以下の誤差で再現した。
抄録(英) Susceptibility of radio frequency (RF) circuits against environmental noises was evaluated by way of direct power injection. Measurements performed on a 90-nm 2.45 GHz CMOS RF driver amplifier show that the injection of RF power into on-die p^+ guard bands creates tones at the primary and up-converted frequencies. Simulation achieves the error of less than 2dB against the measured susceptibility of -40dB, with the models of passive impedance networks covering probing tips, die pads, metal wirings, as well as a silicon substrate.
キーワード(和) 基板ノイズ / 基板結合 / アンプ / 高周波
キーワード(英) Substrate noise / Substrate coupling / Amplifier / RF
資料番号 ICD2009-83
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2009/12/7(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) CMOS-RF回路における基板結合の評価と解析(若手研究会)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Measurement and Simulation of Substrate Coupling of CMOS-RF Circuit
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 基板ノイズ / Substrate noise
キーワード(2)(和/英) 基板結合 / Substrate coupling
キーワード(3)(和/英) アンプ / Amplifier
キーワード(4)(和/英) 高周波 / RF
第 1 著者 氏名(和/英) 東 直矢 / NAOYA Azuma
第 1 著者 所属(和/英) 神戸大学
Kobe University
第 2 著者 氏名(和/英) 永田 真 / Makoto NAGATA
第 2 著者 所属(和/英) 神戸大学
Kobe University
発表年月日 2009-12-14
資料番号 ICD2009-83
巻番号(vol) vol.109
号番号(no) 336
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日