講演名 2010-04-23
インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による多結晶GOIの無欠陥形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
坂根 尭, 都甲 薫, 田中 貴規, 佐道 泰造, 宮尾 正信,
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抄録(和) インプリント誘起Si(111)マイクロ結晶(~1μmφ)を結晶成長シードとしたGeの溶融エピクキシャル成長法を考案し、局所領域におけるGOI薄膜の方位制御を検討した。その結果、大粒径(~10μmφ)を有する単結晶Ge薄膜を実現した。Ge/SiO_2界面は平滑で、成長領域は無欠陥であることが断面TEM測定より明らかとなった。また、顕微ラマン分光測定の結果、キャリヤ移動度向上に益となる伸張歪(~0.2%)の導入を観測した。無欠陥歪Ge薄膜の創製であり、GeデバイスをSi集積回路に融合するための基盤技術として期待される成果である。
抄録(英) Liquid-phase epitaxial growth of Ge islands on insulator (GOI) using Ni-imprint-induced Si (111) micro-crystal seeds (~1 μmφ) is proposed. As a result, single-crystalline GOI (111) structures with large area (~10 μmφ) are realized. The Raman measurements show that the tensile strain (~0.2 %) which enhances carrier mobility is induced in the growth regions. Moreover, the transmission electron microscopy observations reveal no defects in the grown regions. This new method is can be employed to realize the multi-functional SiGe-LSI.
キーワード(和) SiGeミキシング誘起溶融成長 / 金属誘起固相成長 / ゲルマニウム(Ge)デバイス
キーワード(英) Germanium (Ge) / Ge on Insulator (GOI) / Metal Induced Crystallization (MIC) / Liquid-Phase Epitaxial Growth
資料番号 SDM2010-12,OME2010-12
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2010/4/16(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 ENG
タイトル(和) インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による多結晶GOIの無欠陥形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Formation of Defect-Free Ge Island on Insulator by Ni-Imprint Induced Si Micro-Seeding Rapid Melting
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SiGeミキシング誘起溶融成長 / Germanium (Ge)
キーワード(2)(和/英) 金属誘起固相成長 / Ge on Insulator (GOI)
キーワード(3)(和/英) ゲルマニウム(Ge)デバイス / Metal Induced Crystallization (MIC)
第 1 著者 氏名(和/英) 坂根 尭 / Takashi SAKANE
第 1 著者 所属(和/英) 九州大学大学院システム情報科学研究院
Department of Electronics, Kyushu University
第 2 著者 氏名(和/英) 都甲 薫 / Kaoru TOKO
第 2 著者 所属(和/英) 九州大学大学院システム情報科学研究院
Department of Electronics, Kyushu University
第 3 著者 氏名(和/英) 田中 貴規 / Takanori TANAKA
第 3 著者 所属(和/英) 九州大学大学院システム情報科学研究院
Department of Electronics, Kyushu University
第 4 著者 氏名(和/英) 佐道 泰造 / Taizoh SADOH
第 4 著者 所属(和/英) 九州大学大学院システム情報科学研究院
Department of Electronics, Kyushu University
第 5 著者 氏名(和/英) 宮尾 正信 / Masanobu MIYAO
第 5 著者 所属(和/英) 九州大学大学院システム情報科学研究院
Department of Electronics, Kyushu University
発表年月日 2010-04-23
資料番号 SDM2010-12,OME2010-12
巻番号(vol) vol.110
号番号(no) 15
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日