| 講演名 | 2010-04-23 SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) 大田 康晴, 田中 貴規, 佐道 泰造, 宮尾 正信, |
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| 抄録(和) | 我々は、SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI(Ge on Insulator)形成を提案し、GOI(100)の高品質成長を実現している[1]。今回、本手法によるGOI形成の応用範囲を拡げるため、Si基板シードを(110)、(111)に展開し、それぞれの面方位に制御されたGOI形成を検討した。その途上、Si基板シードの面方位と、GOIの成長方向に依存したGeの回転成長に遭遇した。回転成長のシード基板面方位、成長方向依存性を系統的に検討し、回転成長を阻止するプロセス指針を明らかにした。更に、得られた指針に基づき、大面積(500μm×250μm)を有するメッシュ状GOI(100)の単結晶成長を実現した。 |
| 抄録(英) | We proposed SiGe mixing triggered melting growth, and realized (100)-oriented Ge on insulator (GOI) stripes (～400 μm) by using Si(100) substrates as crystal seed [1]. To expand the application fields of such GOI structures, GOI stripes with various crystal orientations should be achieved. In the present study, growth-direction-dependent characteristics of GOI from Si(100), (110), (111) seeding substrates are investigated. During the study, we encountered a phenomenon of rotating growth of Ge layers. The detail of the rotation growth is investigated, and a guideline to prevent this phenomenon is clarified. As a results, GOI(110) and (111) stripes without the rotation are realized, together with GOI(100) stripes. Moreover, a large mesh(500(μm × 250μm) of GOI stripe is realized based on these findings. |
| キーワード(和) | Ge / GOI / SiGeミキシング誘起溶融成長 / Ge-MOSFET |
| キーワード(英) | Ge / GOI / Melting Growth / Ge-MOSFET |
| 資料番号 | SDM2010-11,OME2010-11 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2010/4/16(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal Orientation Dependent Growth Features of Ge-on-Insulator by SiGe Mixing Triggered Melting Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | GOI / GOI |
| キーワード(3)（和/英） | SiGeミキシング誘起溶融成長 / Melting Growth |
| キーワード(4)（和/英） | Ge-MOSFET / Ge-MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大田 康晴 / Yasuharu OHTA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学システム情報科学府 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 貴規 / Takanori TANAKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学システム情報科学府 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐道 泰造 / Taizoh SADOH |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学システム情報科学府 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮尾 正信 / Masanobu MIYAO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学システム情報科学府 Department of Electronics, Kyushu University |
| 発表年月日 | 2010-04-23 |
| 資料番号 | SDM2010-11,OME2010-11 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 15 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |