| 講演名 | 2010-05-13 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器 桑田 英悟, 山中 宏治, 桐越 祐, 井上 晃, 平野 嘉仁, |
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| 抄録(和) | GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)を用いたHIC(Hybrid Integrated Circuit)構成のC-X帯83%比帯域(2.3倍帯域)高出力バランス型増幅器について報告する.バランス型増幅器内部のシングルエンド増幅器について,入出力の負荷インピーダンスを示すスミスチャートの内側のうち,1>|Γ|>0.71の領域が不安定領域であってもバランス型増幅器は無条件安定であることに注目し,高利得化を検討した.GaN HEMTを用いてバランス型増幅器を試作した.その結果,C-X帯83%比帯域(2.3倍帯域)の広帯域に渡って8.9dB以上の小信号利得,出力電力11W以上の高出力,20%以上のPAEが得られた. |
| 抄録(英) | This paper reports on GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) HIC (Hybrid Integrated Circuit) high power amplifier, which features high power and high gain C-X band 83% relative bandwidth. It was found that, a balanced amplifier is absolute stability, when regions(1>|Γ|>0.71) of input and output load impedances for of a single-end amplifier of a broadband amplifier are unstable region. A C-X band GaN HEMT HIC balanced amplifier was manufactured and measured at 40V drain voltage. More than 11W output power and more than 8.9dB small signal gain and 20% PAE (Power Added Efficiency) were obtained at 83% relative bandwidth. |
| キーワード(和) | 増幅器 / 広帯域 / GaN HEMT / 3倍帯域 / HIC / MIC / 高出力増幅器 / バランス型増幅器 |
| キーワード(英) | Broadband amplifiers / GaN HEMT / power amplifier / microwave / band width / balanced amplifier |
| 資料番号 | MW2010-17 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2010/5/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 11W output power C-X band broadband high power balanced amplifier using GaN HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 増幅器 / Broadband amplifiers |
| キーワード(2)（和/英） | 広帯域 / GaN HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | GaN HEMT / power amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | 3倍帯域 / microwave |
| キーワード(5)（和/英） | HIC / band width |
| キーワード(6)（和/英） | MIC / balanced amplifier |
| キーワード(7)（和/英） | 高出力増幅器 |
| キーワード(8)（和/英） | バランス型増幅器 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 桑田 英悟 / Eigo Kuwata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)通信機製作所 Mitsubishi Electric Corporation Communication Systems Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 桐越 祐 / Tasuku Kirikoshi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)通信機製作所 Mitsubishi Electric Corporation Communication Systems Center |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井上 晃 / Akira Inoue |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)通信機製作所 Mitsubishi Electric Corporation Communication Systems Center |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 平野 嘉仁 / Yoshihito Hirano |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)通信機製作所 Mitsubishi Electric Corporation Communication Systems Center |
| 発表年月日 | 2010-05-13 |
| 資料番号 | MW2010-17 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 25 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |