講演名 2010-05-14
Ga2O3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
茅野 真也, 山口 直哉, 以西 雅章,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素検知特性を持つことから、高温用酸素ガスセンサとして注目されている。そこで本研究ではβ-Ga_2O_3薄膜をRFマグネトロンスパッタリング法で生成し、Ar:O_2流量比とRFパワー、膜厚の結晶特性、酸素センサ特性への影響について調べた。その結果、作成した薄膜の結晶特性は、Ar:O_2流量比5:1で最も良くなり、酸素感度は膜厚に依存するという結果が得られた。
抄録(英) Recently, from a point of environmental problems, oxygen gas sensors attract attention of controlling the exhaust gas. The Ga_2O_3 has an oxygen detection characteristic at more than 900°C, so this material attracts much attention as an oxygen sensor at high temperature. The β-Ga_2O_3 films were prepared by the RF magnetron sputtering method. The effect of Ar:O_2 flow ratio, RF power, and thickness of films on the crystal and oxygen sensing properties were investigated. As a result, the superior crystal properties were obtained at the Ar:O_2 flow ratio of 5:1. It was found that the oxygen sensitivity depended on a film thickness.
キーワード(和) 酸化ガリウム / 金属酸化物 / マグネトロンスパッタリング法 / 急速アニール / 酸素センサ
キーワード(英) Gallium oxide / Metal oxides / Magnetron sputtering method / Rapid thermal annealing(RTA) / Oxygen sensor
資料番号 ED2010-27,CPM2010-17,SDM2010-27
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2010/5/6(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Ga2O3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
サブタイトル(和)
タイトル(英) Preparation and evaluation of Ga2O3 oxygen sensors
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 酸化ガリウム / Gallium oxide
キーワード(2)(和/英) 金属酸化物 / Metal oxides
キーワード(3)(和/英) マグネトロンスパッタリング法 / Magnetron sputtering method
キーワード(4)(和/英) 急速アニール / Rapid thermal annealing(RTA)
キーワード(5)(和/英) 酸素センサ / Oxygen sensor
第 1 著者 氏名(和/英) 茅野 真也 / Shinya KAYANO
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学工学研究科
Graduate School of Engineering, Shizuoka University
第 2 著者 氏名(和/英) 山口 直哉 / Naoya YAMAGUCHI
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学工学部
Faculty of Engineering, Shizuoka University
第 3 著者 氏名(和/英) 以西 雅章 / Masaaki ISAI
第 3 著者 所属(和/英) 静岡大学工学部
Faculty of Engineering, Shizuoka University
発表年月日 2010-05-14
資料番号 ED2010-27,CPM2010-17,SDM2010-27
巻番号(vol) vol.110
号番号(no) 29
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日