| 講演名 | 2010-02-23 カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術) 前橋 兼三, 大堀 貴大, 永曽 悟史, 井上 恒一, 松本 和彦, |
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| 抄録(和) | トップゲートを有するカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNT-FET)を用いて不揮発性メモリデバイスを作製した。単層カーボンナノチューブチャネル付近に存在する水分子を取り除いた後、SiN_x、SiO_2の絶縁保護膜を蒸着することによって、デバイスのヒステリシス特性を制御した。作製したCNT-FETメモリデバイスは、チャネルへの電界の集中により比較的低電圧で書き込み/消去ができ、良好な保持時間特性を示した。さらに、単正孔の絶縁層への注入、除去の現象を観察することができた。 |
| 抄録(英) | We have fabricated nonvolatile memory based on top-gated carbon nanotube field-effect transistors(CNTFETs). Two kinds of insulating films of SiN_x and SiO_2 were deposited to control the hysteresis characteristics after removal of water molecules around SWNT channels. The interface between SiN_x and SiO_2 films is expected as a charge storage node of nonvolatile memory. The fabricated CNTFET-based memory devices clearly exhibited not only memory effect but also good retention characteristics for charge storage. Furthermore, single-hole charging and discharging phenomena were clearly observed in CNTFET-based memory devices by reducing the number of carries trapped in the interface between SiN_x and SiO_2. These results indicate that the CNTFET-based nonvolatile memory is one of candidates for fabrication of single-electron memory. |
| キーワード(和) | カーボンナノチューブ / 電界効果トランジスタ / 不揮発性メモリ / 単正孔トラップ |
| キーワード(英) | Carbon nanotubes / Field-effect transistors / Nonvolatile memory / Single-hole trap |
| 資料番号 | ED2009-211,SDM2009-208 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/2/15(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nonvolatile memory based on carbon nanotube field-effect transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ / Carbon nanotubes |
| キーワード(2)（和/英） | 電界効果トランジスタ / Field-effect transistors |
| キーワード(3)（和/英） | 不揮発性メモリ / Nonvolatile memory |
| キーワード(4)（和/英） | 単正孔トラップ / Single-hole trap |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前橋 兼三 / Kenzo MAEHASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大堀 貴大 / Takahiro OHORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 永曽 悟史 / Satoshi NAGASO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井上 恒一 / Koichi INOUE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松本 和彦 / Kazuhiko MATSUMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 発表年月日 | 2010-02-23 |
| 資料番号 | ED2009-211,SDM2009-208 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 422 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |