| 講演名 | 2010-01-15 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 中舎 安宏, 川野 陽一, 鈴木 俊秀, 多木 俊裕, 高橋 剛, 牧山 剛三, 原 直紀, |
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| 抄録(和) | 寄生容量低減のためゲート電極周辺を空洞化したゲート長75nmのInP HEMT(g_m: 2S/mm、f_T: 390GHz、f_ |
| 抄録(英) | In order to realize impulse radio systems that have a data rate of 10 Gb/s and beyond in sub-terahertz wave bands, a pulse generator IC(PG)was developed in 75-nm InP HEMP technology that involves cavity structure around the gate electrode for reducing parasitic capacitances, resulting in superior high-frequency and low-noise performance(g_m: 2 S/mm, f_T: 390 GHz, f_ |
| キーワード(和) | ミリ波 / サブテラヘルツ波 / インパルス無線 / 短パルス / 半値幅 / InP HEMT / 空洞構造 |
| キーワード(英) | millimeter wave / sub-terahertz wave / impulse radio / pulse generator / FWHM / InP HEMT / cavity structure |
| 資料番号 | ED2009-190,MW2009-173 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/1/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 20-Gb/s Pulse Generator with 4.9-ps FWHM using 75-nm InP HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミリ波 / millimeter wave |
| キーワード(2)（和/英） | サブテラヘルツ波 / sub-terahertz wave |
| キーワード(3)（和/英） | インパルス無線 / impulse radio |
| キーワード(4)（和/英） | 短パルス / pulse generator |
| キーワード(5)（和/英） | 半値幅 / FWHM |
| キーワード(6)（和/英） | InP HEMT / InP HEMT |
| キーワード(7)（和/英） | 空洞構造 / cavity structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中舎 安宏 / Yasuhiro NAKASHA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川野 陽一 / Yoichi KAWANO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 俊秀 / Toshihide SUZUKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 多木 俊裕 / Toshihiro OHKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 剛 / Tsuyoshi TAKAHASHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 牧山 剛三 / Kozo MAKIYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki HARA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED |
| 発表年月日 | 2010-01-15 |
| 資料番号 | ED2009-190,MW2009-173 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |