| 講演名 | 2010-01-14 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 大田 一樹, 遠藤 一臣, 岡本 康宏, 安藤 裕二, 宮本 広信, 嶋脇 秀徳, |
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| 抄録(和) | パワーエレクトロニクス応用に向け、閾値制御性に優れたノーマリオフ動作リセスゲートAlGaN/GaN HFETを開発した.本研究では、リセスゲートHFETにおいて高い閾値制御性・面内均一性と低いオン抵抗を両立するため、新たに分極電荷中和構造を提案する.この分極電荷中和構造では、ゲートリセス底面が形成される分極電荷中和層の機能として、ゲート電極下で各層が発生する正・負の分極電荷が完全に相殺される.この結果、閾値電圧はゲート-チャネル間距離に依存しなくなり、閾値制御性が向上する.分極電荷中和構造を適用してシリコン基板上に作製したAlGaN/GaN HFETは、ノーマリオフ動作(V_ | =+0.52V)を示すとともに、良好な閾値電圧の面内均一性(σV_ | =18mV)を示した.さらに、作製したMISゲートHFETにおいて、低いオン抵抗(R_ | ||||
| 抄録(英) | In this paper, we successfully demonstrate a recessed gate normally-off AlGaN/GaN HFET on a silicon substrate with high threshold voltage(V_ | )uniformity and low on-resistance. In order to realize high V_ | uniformity, a novel V_ | control technique is proposed, which we call "piezo neutralization technique". This technique includes a piezo neutralization(PNT)layer formed at the bottom of the gate recess. Since the PNT layer neutralizes the polarization charges under the gate, the V_ | comes to be independent of the gate-to-channel span. The fabricated normally-off GaN FET with PNT structure exhibits an excellent V_ | uniformity(σV_ | =18mV)and a state-of-the-art combination of the specific on-resistance(R_ |
| キーワード(和) | 窒化ガリウム / 電界効果トランジスタ / エンハンスメントモード / ノーマリオフ / 均一性 / リセス | ||||||
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / FET / E-mode / normally-off / uniformity / recessed gate | ||||||
| 資料番号 | ED2009-189,MW2009-172 | ||||||
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/1/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Normally-off AlGaN/GaN HFET with High Threshold Voltage Uniformity |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 電界効果トランジスタ / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | エンハンスメントモード / FET |
| キーワード(4)（和/英） | ノーマリオフ / E-mode |
| キーワード(5)（和/英） | 均一性 / normally-off |
| キーワード(6)（和/英） | リセス / uniformity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大田 一樹 / Kazuki OTA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NECナノエレクトロニクス研究所 Nano Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 遠藤 一臣 / Kazuomi ENDO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NECナノエレクトロニクス研究所 Nano Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡本 康宏 / Yasuhiro OKAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NECナノエレクトロニクス研究所 Nano Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安藤 裕二 / Yuji ANDO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NECナノエレクトロニクス研究所 Nano Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮本 広信 / Hironobu Miyamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NECナノエレクトロニクス研究所 Nano Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 嶋脇 秀徳 / Hidenori SHIMAWAKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NECナノエレクトロニクス研究所 Nano Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2010-01-14 |
| 資料番号 | ED2009-189,MW2009-172 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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