| 講演名 | 2010-01-14 AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 橋本 信, 秋田 勝史, 田辺 達也, 中幡 英章, 竹田 健一郎, 天野 浩, |
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| 抄録(和) | AlN基板上にAlGaNチャネルHEMTエピを成長し、サファイア基板上と比較した。AlGaNチャネル層の(10-12)面のX線ロッキングカーブ(XRC)半値幅の低減に伴い、2次元電子ガスのシート抵抗の大幅な低減が確認された。AlGaNチャネルHEMTでは、2次元電子ガスのシート抵抗低減には、AlGaNチャネル層の結晶品質の向上が重要であることを明らかにした。また、AlN基板を用いることで、AlGaNチャネル層の結晶品質の向上及び2次元電子ガスのシート抵抗の低減を確認し、AlGaNチャネルHEMTにおけるAlN基板の優位性を確認することができた。 |
| 抄録(英) | Epitaxial structures of AlGaN channel high electron mobility transistors(HEMTs)were grown on sapphire and AlN substrates. Reduction in the full width at half maximum of X-ray rocking curve for(10-12)peak of the AlGaN channel layer owing to the reduction of threading dislocation densities resulted in a sharp decrease in the sheet resistance of 2-dimensional electron gas(2DEG). In the case of AlGaN channel HEMTs, it was found that improvement of the crystalline quality of AlGaN channel layers is essential to the reduction of the sheet resistance of 2DEG. The use of AlN substrates resulted in improved crystalline quality of the AlGaN layer and lower 2DEG resistance, suggesting the high potential of AlN substrates for AlGaN channel HEMTs. |
| キーワード(和) | AlN / AlGaN / HEMT / AlN基板 |
| キーワード(英) | AlN / AlGaN / HEMT / AlN substrate |
| 資料番号 | ED2009-188,MW2009-171 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/1/6(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaN channel high electron mobility transistors on AlN substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | AlN基板 / AlN substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 橋本 信 / Shin HASHIMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電気工業 Sumitomo Electric Industries |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 秋田 勝史 / Katsushi AKITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電気工業 Sumitomo Electric Industries |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田辺 達也 / Tatsuya TANABE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電気工業 Sumitomo Electric Industries |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中幡 英章 / Hideaki NAKAHATA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電気工業 Sumitomo Electric Industries |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 竹田 健一郎 / Kenichiro TAKEDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学 Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi AMANO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学 Meijo University |
| 発表年月日 | 2010-01-14 |
| 資料番号 | ED2009-188,MW2009-171 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |