| 講演名 | 2010-01-14 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 廣木 正伸, 前田 就彦, 重川 直輝, |
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| 抄録(和) | エンハンスメントモードGaN FETの作製を目指し,アクセス領域に選択再成長AlGaNコンタクト層を有する,圧縮歪みIn_xAl_<1-x>N(15nm)/Al_<0.22>Ga_<0.78>N(3nm)/GaN(x=0.245-0.325)ヘテロ構造FETを作製した.In組成の0.245から0.325への増加により,2次元電子ガスの濃度は6.5×10^<12>から1.3×10^<12>cm^<-2>に低減した.AlGaN層の挿入により,In組成0.245の構造において,1,570cm^2/V・sと高い電子移動度が得られた.In_<0.325>Al_<0.675>N/Al_<0.22>Ga_<0.78>N/GaNにおいて,選択再成長AlGaNコンタクト層の形成により,シート抵抗は17,000から584Ω/sq.に低減した.作製したFETで,最大相互コンダクタンスは60mS/mm,最大ドレイン電流は0.11A/mmであった.特性向上のために,ゲートリークの抑制が必要であることが分かった.In組成を0.245から0.325に増加にさせることで,しきい値が-3.2から-0.2Vへと浅くなった.以上の結果から,InAlN/AlGaN/GaNヘテロ構造はエンハンスメント動作FETに応用が可能であることが分かった. |
| 抄録(英) | In order to achieve enhancement-mode GaN-FETs, compressively strained In_xAl_<1-x>N(15 nm)/Al_<0.22>Ga_<0.78>N(3 nm)/GaN heterostructures FETs with regrown AlGaN contact layers were fabricated. The density of two-dimensional electron gas decreased from 6.5×10^<12> to 1.3×10^<12>cm^<-2> as the In content of InAlN increased from 0.245 to 0.325. With the insertion of the AlGaN layer, electron mobility as high as 1570 cm^2/V・s was achieved at the In content of 0.245. Selectively regrown AlGaN contact layers reduced the sheet resistance from 17,000 to 584Ω/sq. at the access layer for In_<0.325>Al_<0.675>N/Al_<0.22>Ga_<0.78>N/GaN. We fabricated FETs with this structure. The maximum transconductance is 60 mS/mm, and the drain current is 0.11 A/mm. It was found that the suppression of gate leakage current is need for high performance. The threshold voltage becomes shallower, going from -3.2 to -0.2 V with the increase of the In content from 0.245 to 0.325. These results indicate that it is possible to make enhancement-mode FETs with the InAlN/AlGaN/GaN heterostructures. |
| キーワード(和) | GaN / InAlN / AlInN / FET / HEMT / Enhancement-Mode / Normally Off |
| キーワード(英) | GaN / InAlN / AlInN / FET / HEMT / Enhancement-Mode / Normally Off |
| 資料番号 | ED2009-187,MW2009-170 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/1/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Compressively Strained InAlN/AlGaN/GaN FETs with Regrown AlGaN Contact Layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | InAlN / InAlN |
| キーワード(3)（和/英） | AlInN / AlInN |
| キーワード(4)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(5)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(6)（和/英） | Enhancement-Mode / Enhancement-Mode |
| キーワード(7)（和/英） | Normally Off / Normally Off |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 廣木 正伸 / Masanobu HIROKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 前田 就彦 / Narihiko MAEDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 重川 直輝 / Naoteru SHIGEKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2010-01-14 |
| 資料番号 | ED2009-187,MW2009-170 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |