| 講演名 | 2010-01-14 HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 林 慶寿, 岸本 茂, 水谷 孝, |
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| 抄録(和) | 時間を考慮したデバイスシミュレーションを行うことで、HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETにおいてHfO_2/AlGaN界面のトラップがデバイス特性に与える影響について考察を行い、実験結果の説明を行った。実験では、ゲートに正のバイアスストレスを印加するとしきい値電圧が正の方向にシフトし、そのシフト量は、バイアスストレス印加後の待機時間が長くなると小さくなる傾向がみられた。この振る舞いを解析的に考察し、E_C-E_T=0.4、0.765、1.65eVの3つのトラップをHfO_2/AlGaN界面に導入して、これを基にシミュレーションを行うことで実験結果を説明することができた。すなわち各測定時のg_m-V_ |
| 抄録(英) | Analysis of transient response of HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETs was performed by using the two-dimensional device simulation to investigate the effect of interface traps at the HfO_2/AlGaN interface. In experiment, the threshold voltage shifted toward the positive direction after the positive gate bias stress. The amount of threshold voltage shift was dependent on waiting time after the gate bias stress. The simulation results assuming three trap levels of E_C-E_T=0.4, 0.765, 1.65 eV which were obtained based on the analytical consideration of this experimental result explained the experimental results well. The shallow traps at E_C-E_T= 0.4 eV caused the g_m decrease at large V_ |
| キーワード(和) | HfO_2/AlGaN/GaN MOSFET / デバイスシミュレーション / 界面トラップ / 過渡応答 |
| キーワード(英) | HfO_2/AlGaN/GaN MOSFET / device simulation / interface trap / transient response |
| 資料番号 | ED2009-186,MW2009-169 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/1/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Transient Response of HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HfO_2/AlGaN/GaN MOSFET / HfO_2/AlGaN/GaN MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(3)（和/英） | 界面トラップ / interface trap |
| キーワード(4)（和/英） | 過渡応答 / transient response |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 林 慶寿 / Yoshihisa HAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / Shigeru KISHIMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi MIZUTANI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2010-01-14 |
| 資料番号 | ED2009-186,MW2009-169 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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