| 講演名 | 2010-01-14 Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 水江 千帆子, 堀 祐臣, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | Al_<0.25>Ga_<0.75>N/GaNおよびn-GaN上にAl_2O_3絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面の特性評価を行った。Al_2O_3膜はTri-methyl Aluminum(TMA)とH_2Oを材料とした原子層堆積(ALD)法により250℃で堆積し、N_2ガス中におけるアニール処理を施した。Al_2O_3/AlGaN/GaN構造で容量-電圧(C-V)測定を行い、系統的な評価からAl_2O_3/AlGaN界面において最小界面準位密度はおよそ～5x10^<12>cm^<-2>eV^<-1>であると予想された。また、Al_2O_3/n-GaN構造では光照射を併用しC-V測定を行った。フォトンエネルギーが増加するに従いC-V特性の分散が大きくなり、暗状態におけるC-V特性との比較により、電荷の移動量は界面のmid-gap付近で3x10^<13>cm^<-2>eV^<-1>と見積もられた。 |
| 抄録(英) | We have fabricated the insulated Al_2O_3-gate structure on Al_<0.25>Ga_<0.75>N and n-GaN, and characterized the insulator/semiconductor interface. Al_2O_3 layer was deposited by atomic layer deposition method using tri-methyl aluminum(TMA)and H_2O as source. After deposition, Al_2O_3 layer was annealed in N_2 gas. In the Al_2O_3/AlGaN/GaN structure, capacitance-voltage(C-V)characterization had been carried out. From the systematic C-V characteristics, the minimum density of interface state was estimated to be ～5x10^<12>cm^<-2>eV^<-1>. Additionally, we have characterized the Al_2O_3/n-GaN structure by photo-assisted C-V measurement. Dispersion of the C-V curves was significant with the larger photon energy. From the comparison of illuminated and dark C-V characteristics, change of interface charge was estimated to be 3x10^<13>cm^<-2>eV^<-1> in the mid-gap range. |
| キーワード(和) | Al_2O_3 / Al_xGa_<1-x>N / 絶縁ゲート構造 / 原子層堆積 / 界面準位 / 容量-電圧評価 / 光照射 |
| キーワード(英) | Al_2O_3 / Al_xGa_<1-x>N / insulated gate / atomic layer deposition / interface state / C-V characterization / photo-assist |
| 資料番号 | ED2009-185,MW2009-168 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/1/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interface characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN and Al2O3/n-GaN structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Al_2O_3 / Al_2O_3 |
| キーワード(2)（和/英） | Al_xGa_<1-x>N / Al_xGa_<1-x>N |
| キーワード(3)（和/英） | 絶縁ゲート構造 / insulated gate |
| キーワード(4)（和/英） | 原子層堆積 / atomic layer deposition |
| キーワード(5)（和/英） | 界面準位 / interface state |
| キーワード(6)（和/英） | 容量-電圧評価 / C-V characterization |
| キーワード(7)（和/英） | 光照射 / photo-assist |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水江 千帆子 / Chihoko Mizue |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 堀 祐臣 / Yujin Hori |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2010-01-14 |
| 資料番号 | ED2009-185,MW2009-168 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |