講演名 2010-01-14
高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
佐々 誠彦, 小池 一歩, 前元 利彦, 矢野 満明, 井上 正崇,
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抄録(和) 酸化亜鉛(ZnO)は低温成膜が可能なワイドギャップ半導体で、ガラス基板上にスパッタ法などで多結晶膜を形成し、トランジスタを作製することが可能なため、将来、様々なデバイス応用が期待できる。ZnO系FETの潜在的な性能評価のため、MBE成膜した単結晶ヘテロ構造でFETを試作し、そのDCおよび高周波特性について評価した結果について述べる。さらに、センサーなどへの応用、スパッタ法など他の成膜方法で作製したデバイスの特性についても報告する。
抄録(英) Zinc Oxide(ZnO)has various advantages over other wide gap semiconductors. In order to evaluate its material feasibility, we exploited the device performance using heterostructure FETs for both DC and microwave characteristics. As one of the possible applications for ZnO-based FETs, we report on an implementation to bio-sensing devices.
キーワード(和) 酸化亜鉛 / FET / センサー / MBE / スパッタ
キーワード(英) ZnO / FET / sensor / MBE / sputtering
資料番号 ED2009-184,MW2009-167
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2010/1/6(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Development of high-performance ZnO-based FETs : Device applications and microwave performance
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 酸化亜鉛 / ZnO
キーワード(2)(和/英) FET / FET
キーワード(3)(和/英) センサー / sensor
キーワード(4)(和/英) MBE / MBE
キーワード(5)(和/英) スパッタ / sputtering
第 1 著者 氏名(和/英) 佐々 誠彦 / Shigehiko SASA
第 1 著者 所属(和/英) 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Inst. of Tech.
第 2 著者 氏名(和/英) 小池 一歩 / Kazuto KOIKE
第 2 著者 所属(和/英) 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Inst. of Tech.
第 3 著者 氏名(和/英) 前元 利彦 / Toshihiko MAEMOTO
第 3 著者 所属(和/英) 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Inst. of Tech.
第 4 著者 氏名(和/英) 矢野 満明 / Mitsuaki YANO
第 4 著者 所属(和/英) 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Inst. of Tech.
第 5 著者 氏名(和/英) 井上 正崇 / Masataka INOUE
第 5 著者 所属(和/英) 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Inst. of Tech.
発表年月日 2010-01-14
資料番号 ED2009-184,MW2009-167
巻番号(vol) vol.109
号番号(no) 360
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日