| 講演名 | 2010-01-14 HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 山田 真之, 上澤 岳史, 宮本 恭幸, 古屋 一仁, |
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| 抄録(和) | 高電流密度駆動時におけるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)のエミッタ充電時間対電流密度の逆数特性について理論的考察を行った。本特性は電流密度の十分低い領域では比例特性を示すが、数MA/cm^2を超える高電流密度領域においては比例特性から逸脱し上に凸な曲線を描く。これは、要素分解の手法すなわち全遅延時間対電流の逆数特性において電流の逆数を0へと外挿し、電流依存項と非依存項に分解する手法に誤差が生じることを意味し、典型的な誤差としては30fs程度と超高速HBTでは無視できない値である。 |
| 抄録(英) | We investigated the relationship between the emitter charging time and inverse current of heterojunction bipolar transistors(HBTs)operating at high current density. This relationship appears to be proportional when the current density is low enough, but it deviates from this proportional relationship at a current density of more than a few mega-ampere per square centimeter. This deviation causes an error in the separation of the total delay time into components when assuming the relationship 1/f_T=A/I+B, where f_T is the cutoff frequency, I is the current, and A and B are constants. This error is more than 30 fs, which is not negligible for ultra-high-speed HBTs. |
| キーワード(和) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / エミッタ充電時間 / 動的エミッタ抵抗 / エミッタ接合容量 |
| キーワード(英) | Heterojunction Bipolar Transistor(HBT) / Emitter Charging Time / Dynamic Emitter Resistance / Emitter Junction Capacitance / Fermi-Dirac Distribution / High Current Density Operation |
| 資料番号 | ED2009-182,MW2009-165 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/1/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deviation from Proportional Relationship Between Emitter Charging Time and Inverse Current of Heterojunction Bipolar Transistors Operating at High Current Density |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / Heterojunction Bipolar Transistor(HBT) |
| キーワード(2)（和/英） | エミッタ充電時間 / Emitter Charging Time |
| キーワード(3)（和/英） | 動的エミッタ抵抗 / Dynamic Emitter Resistance |
| キーワード(4)（和/英） | エミッタ接合容量 / Emitter Junction Capacitance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山田 真之 / Masayuki YAMADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上澤 岳史 / Takafumi UESAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki MIYAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 古屋 一仁 / Kazuhito FURUYA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2010-01-14 |
| 資料番号 | ED2009-182,MW2009-165 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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